TPS40192开关管MOSFETS损耗是1W是根据什么设计的

Hi
   MOS的损耗至多1W，是因为要做到90%的效率，那么可以依据你的输出功耗算出总体的损耗，然后扣掉电感的功耗，剩下主要就是MOS的功耗和驱动的功耗了。

Hi
   我觉得 在计算中少了一个1/2， 这一点你可以对照上面的第十七式。
  下面的计算QGD1< 0.6/(14*10)* (5-2)/2.5 * 1/600k=0.6*3/（140*2.5*0.6M)=600/70=8.5nC 是没有问题的。

Hi
    这里的Vin按照最大电压是14V， VDD实际上是指驱动电平电压，即Vbp5,计算时按照5V算的。
 

您好，
第一个问题：至于为什么是1W，我也不清楚，根据我的理解：这只是一个估计的结果，考虑到效率问题，预定一个大概的功率损耗，也可以是0.8W等等，that's ok.
第二个问题：其实这里是datasheet误导了你，其实这里不应该是VDD，应该是驱动电压，驱动电压VBP是5V，所以Vdd-Vth=5-2=3V,根据公式17开关损耗最大的点是输入电压最大时，因此此时VIN=14V，你带进去试试，我算了一下应该是8.57nC，这边就给了8.5nC的数据。我的理解是这样。
以上是我的理解，希望有帮助到您，谢谢。