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引用: stew 发表于 2019-4-11 14:10
一般来说MOS外置的deadtime是由开关管的驱动决定，如图：
所以如果你想扩大deadtime，可以在开关管的栅极接电容到地，可以让管子导通延时，增加deadtime时间。
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引用: stew 发表于 2019-4-11 14:10
一般来说MOS外置的deadtime是由开关管的驱动决定，如图：
所以如果你想扩大deadtime，可以在开关管的栅极接电容到地，可以让管子导通延时，增加deadtime时间。
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引用: stew 发表于 2019-4-11 14:10
一般来说MOS外置的deadtime是由开关管的驱动决定，如图：
所以如果你想扩大deadtime，可以在开关管的栅极接电容到地，可以让管子导通延时，增加deadtime时间。
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