（1）
场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
（2)．
场效应晶体管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。场效应晶体管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
（3)．
场效应晶体管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应晶体管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
（4)．场效应晶体管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应晶体管比三极管的温度稳定性好。
（5)．场效应晶体管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。
（6)．场效应晶体管的噪声系数很小，在低噪声放大
电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应晶体管。
（7)．场效应晶体管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应晶体管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应晶体管。
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