如何让Genesys接受英飞凌0级MOSFET模型

我正在尝试使用英飞凌IPW60R125CP设备的型号。
英飞凌为这些设备发布0级，1级和3级模型。
我意识到我不能使用除0级模型之外的任何东西，因为其他人使用的是一个涉及功能的酷炫模型，遗憾的是，这些功能在Genesys中不受支持。
（希望它们很快就会得到支持!!）无论如何，当我尝试加载Level 0模型时，我会收到与Level相关的错误消息。
我知道Genesys应该支持这个模型，因为它支持3级MOSFET，但我无法弄清楚如何修改已发布的0级Spice模型以使其正常工作。
这是已发布的模型。
为了让它与Genesys一起工作，我需要改变什么？
（我知道我必须反转引脚1和2）。
****** .SUBCKT IPW60R125CP_L0漏极栅极源极Lg栅极g1 8n Ld漏极d1 3n Ls源极s1 8n Rs s1 s2 2m Rg g1 g2 2.1 M1 d2 g2 s2 s2 DMOS L = 1u W = 1u .MODEL DMOS MOS3_NMOS（KP
= 40.755 VTO = 3.85 THETA = 0 VMAX = 1.5e5 ETA = 0 LEVEL = 3）Rd d2 d1a 0.093 TC = 13m。模具MVDR NMOS（KP = 98.67 VTO = -1 LAMBDA = 0.15）Mr d1 d2a d1a d1a MVDR W =
1u L = 1u Rx d2a d1a 1m Cds1 s2 d2 70.8p Dbd s2 d2 Dbt .MODEL Dbt D（BV = 600 M = 0.85 CJO = 32.18n VJ = 0.5V）Dbody s2 21 DBODY .MODEL DBODY D（IS = 15.2p
N = 1.08 RS = 6u EG = 1.12 TT = 750n）Rdiode d1 21 4.66m TC = 6m .MODEL sw MOS1_NMOS（VTO = 0 KP = 10 LEVEL = 1）Maux g2 caa sw Maux2 bd g2 g2 sw Eaux ca d2 g2 1
Eaux2 d g2 d2 g2 -1 Cox b d2 1.99n .MODEL DGD D（M = 1 CJO = 1.99n VJ = 0.5）Rpar b d2 1Meg Dgd a d2 DGD Rpar2 d2 a 10Meg Cgs g2 s2 2.47n .ENDS IPW60R125CP_L0 **
****谢谢，艾德



     以下为原文

  I am trying to use a model for an Infineon IPW60R125CP device. Infineon publishes Level 0, Level 1, and Level 3 models for these devices. I realize that I cannot use anything other than the level 0 model because others use a coolmos model which involves functions which, unfortunately, are not supported in Genesys. (Hopefully they will soon be supported!!) Anyway, when I try to load the Level 0 model, I get error messages related to Level. I know that Genesys should support this model, because it supports level 3 MOSFETs,  but I can't figure out how to revise the published level 0 Spice model to get it to work properly. Here is the published model. What do I have to change to get it to work with Genesys? (I know I have to reverse pins  1 and 2).

******

.SUBCKT IPW60R125CP_L0  drain  gate  source

Lg     gate  g1    8n
Ld     drain d1    3n
Ls     source s1   8n
Rs      s1    s2   2m

Rg     g1    g2     2.1
M1      d2    g2    s2    s2    DMOS    L=1u   W=1u
.MODEL DMOS MOS3_NMOS ( KP= 40.755  VTO=3.85  THETA=0  VMAX=1.5e5  ETA=0  LEVEL=3)
Rd     d2    d1a    0.093 TC=13m
.MODEL MVDR NMOS (KP=98.67 VTO=-1   LAMBDA=0.15)
Mr d1 d2a d1a d1a MVDR W=1u L=1u
Rx d2a d1a 1m
Cds1 s2 d2 70.8p
Dbd     s2    d2    Dbt
.MODEL     Dbt    D(BV=600   M=0.85  CJO=32.18n  VJ=0.5V)
Dbody   s2   21    DBODY
.MODEL DBODY  D(IS=15.2p  N=1.08  RS=6u  EG=1.12  TT=750n)
Rdiode  d1  21    4.66m TC=6m

.MODEL   sw    MOS1_NMOS(VTO=0  KP=10   LEVEL=1)
Maux      g2   c    a    a   sw
Maux2     b    d    g2    g2   sw
Eaux      c    a    d2    g2   1
Eaux2     d    g2   d2    g2   -1
Cox       b    d2   1.99n
.MODEL     DGD    D(M=1   CJO=1.99n   VJ=0.5)
Rpar      b    d2   1Meg
Dgd       a    d2   DGD
Rpar2     d2   a    10Meg
Cgs     g2    s2    2.47n

.ENDS  IPW60R125CP_L0

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Thanks,
Ed