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MOSFET
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。
低噪声 EN系列
以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。
EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻更低，因而是改善平面MOSFET的传导损耗的替代品。A・Ron的比较中，与平面MOSFET相比，以往产品AN系列降低65%，EN系列则降低达80%。
该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。
■R60xxENx系列：低噪声
.tbl_wrap th { font-size: 12px!important; background: #eee;}.tbl_wrap td { font-size: 12px!important;text-align: center;}[tr]机型名BVDSS(V)ID (A)RDS(on) (Ω)Qg (nC)封装[/tr][tr]R6002ENx[td=1,12]600[tr]R6004ENx[td]4[tr]R6007ENx[td]7[tr]R6009ENx[td]9[tr]R6011ENx[td]11[tr]R6015ENx[td]15[tr]R6020ENx[td]20[tr]R6024ENx[td]24[tr]R6030ENx[td]30[tr]R6035ENx[td]35[tr]R6047ENx[td]47[tr]R6076ENx[td]76| 1.7 | 2.8 | 6.5 | CPT/TO252☆ |
| 0.9 | 15 | CPT/TO252☆/LPT/TO220FM |
| 0.57 | 20 | TO252/LPT/TO220FM |
| 0.5 | 23 | TO252/LPT/TO220FM |
| 0.34 | 32 | TO252/LPT/TO220FM |
| 0.26 | 40 | LPT/TO220FM/TO3PF |
| 0.17 | 60 | LPT/TO220FM/TO3PF/TO247 |
| 0.15 | 70 | LPT/TO220FM/TO3PF/TO247 |
| 0.115 | 85 | LPT/TO220FM/TO3PF/TO247 |
| 0.095 | 110 | TO3PF/TO247 |
| 0.07 | 145 | TO247 |
| 0.04 | 260 | TO247 |
※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 开发中
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