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[模电]

mosfet开通与关断损耗分析

第四部第四讲讲解mosfet的开关过程,当Vgs大于开启电压时,Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时,平台电压形成,Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时,Vgs与Id不成比例且Id(与未完全导通时一致)保持不变Vgs继续增大至Vcc。为什么在mosfet未完全导通与完全导通时,Id保持不变呢?

回帖(2)

徐音之

2018-10-25 00:41:50
您好,在平台的时(未完全打开),MOSFET已经打开,电流已经满足要求,电压继续升高到完全打开时,负载不变,那么电流也不会变化,这个中中间只是存在一个损耗的问题,当在位完全打开时,Rdson大,功耗大,发热严重,当完全打开时,Rdson小,功耗也小,发热也就减小。
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梅宁琛

2018-10-25 00:51:24
黄老师说得很全面了,我来详细说一下具体是什么原因导致的
下面是米勒平台的波形图

在时间轴达到t2时刻时,id达到最大,此时mos管在饱和区/恒流区,受到转移特性的影响,id=gm(vg-vt),所以进入米勒平台时期。这段时间内,虽然mos管未完全导通,但是依然会使vds减小。当减小到一定值时,进入t3时刻
t3时刻,mos管退出饱和区,进入可变电阻区,标志是vds=vg-vt,由于不受到转移特性的影响,vgs能继续增大,而id则不会发生变化,也就解释了你所说的为什么mos未完全开启和完全开启后,id保持不变。
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