请问低栅压NMOS泄放电阻和栅极电阻怎么摆放位置?

选用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驱动电压为5V，现在有两种方式，图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前，优点是不会对驱动电压造成分压，确保mos可靠开通，缺点暂时不知道。图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面，这样的缺点是会对驱动电压造成分压，栅极驱动电压只能到4.54V。求大神帮分析下两种方式的优缺点，哪种更适合，另外这个栅极电阻取值是否太大，增加导通损耗，不过我们用了十几年这个值了，没啥问题，且mos不会经常动，偶尔才会动一下。

                               图1                                                                    图2