工作寿命试验 (OLT)

芯片工作寿命试验、老化试验(Operating Life Test)，为利用温度、电压加速方式，在短时间试验内，预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。典型浴缸曲线(Bathtub Curve)分成早夭期(Infant Mortality)、可使用期(Useful Life)及老化期(Wear out)，对于不同区段的故障率评估，皆有相对应的试验手法。
iST宜特检测可以提供
BI(Burn-in) / ELFR(Early Life Failure Rate)：评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率 -DPPM(Defect Parts Per-Million)。
HTOL(High Temperature Operating Life)：评估可使用期的寿命时间-FIT / MTTF。
EM(Electromigration) ：评估各种材料在老化期的寿命表现。
对于不同产品属性也有相对应的测试方法及条件，如HTGB(High Temperature Gate Bias) / HTRB(High Temperature Reverse Bias) / BLT(Bias Life Test)等试验手法。
上述各项实验条件，均需要施加电源或信号源，使得组件进入工作状态或稳态，经由电压、温度、时间等加速因子(Acceleration Factor)交互作用下，达到材料老化的效果，并从试验结果计算出预估产品的故障率、MTTF(Mean Time To Failure)及FIT(Failure In Time)。
失效模式从浴缸曲线(Bathtub Curve) 三个区段，其故障率的统计数据及失效原因，归纳如下：

• 早夭期(Infant Mortality )：故障率由高而快速下降- 失效原因为设计缺失/制程缺失。
• 可使用期(Useful Life)：故障率低且稳定-失效原因随机出现(ex EOS 故障)
• 老化期(Wear Out)：故障率会快速增加-失效原因为老化造成。