各位大师：
大家好！第一次发帖，请多多包涵。
本人最近在做一个项目：利用CC2530F256芯片进行开发，其中要求功能之一为对射频芯片的IEEE地址进行软件修改，即对flash的write操作；看了许多帖子总结出如下几点：
1.IEEE地址在flash里的0x3FFE8--0x3FFEF处，对该区域内容进行修改；
2.不能在运行程序时写flash，应该将write代码复制到sram中：HalFlashRead(PAGE_OF_RAM_CODE, OSET_OF_RAM_CODE, ramCode, SIZE_OF_RAM_CODE);
其中，
#define PAGE_OF_RAM_CODE 51 #define OSET_OF_RAM_CODE 0x6DD #define SIZE_OF_RAM_CODE 0x23
这是参考Z-STACK里的配置来的（问题的源头！！！！），但我又不知道代码是从哪个地址复制过来的，
链接文件使用的是默认的F256.xcl，
尝试了使用Z-STACK里的f8w2530.xcl，结果程序完全瘫痪；
3.调用HalFlashWrite(),该函数调用了触发write flash的核心代码（复制到sram里的代码）
HalFlashErase(0x7F); writeWord(0x7F, 0x7E8, nID ); ----写之前先擦除
结果，报错
所以，发个帖子请教各位高手，问题如下：
1）CC2530F256的内存配置是不是可以通用Z-Stack里面的CC2530内存配置，具体的RAM_CODE_FLASH和RAM_CODE_XDATA起止地址应该为多少，如何对.xcl文件进行相应修改？
2）对IEEE地址软件改动的流程是不是合理正确的？
拜托各位了，这个项目时间很紧，本人纯属开发届菜鸟，还请各位多多指教，给些建议和想法，多谢多谢！
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