TMS320C6701外部RAM由两片512K×16位SRAM组成32位的系统，链接到DSP的CE3地址空间，编写程序对RAM区进行读写测试，写入数据格式为（i|（i<<16））循环累加写入RAM，然后通过数组将刚才写入RAM区的数据读取出来，同时在CCS的MEMORY窗口观察RAM区的数据。
结果是通过数组读取的数据与写入的数据是相同的，但是MEMORY窗口观察到的数据高16位数据是正确的，低16位的数据有异常。
当
仿真环境为CCS3.3时，从0地址开始每连续8个地址读出的数据是相同的，与第一个地址的数据相同，比如0x0000连续八个，然后是0x0008连续八个，依次出现0x0010/0x0018/0x0020/0x0028等等。。。同时读出的高16位数据是正确的累加递增数据。在MEMORY窗口更改第一个地址的数据后，后面7个地址的数据同时发生变化，但是随后通过数组读取的数据只有第一个地址的数据发生变化。
当仿真环境更换为CCS5.2时，问题依旧存在，现象不同，从0地址开始每连续8个地址读出的数据中前6个数据是正常的，第7个数据与第8个数据是相同的，在MEMORY窗口更改第7个地址的数据后，窗口中第8个地址数据同时变化，而实际数组读取的数据未变化。
请教下各位老师是否知道该问题是怎么产生的，如何解决？
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