这是一份工程报告，描述了采用InnoSwitch3-EP系列IC的INN3672C-H602产生的0.3 A，5 V和0.7 A，12 V双输出嵌入式
电源。该设计显示了高功率密度和高效率，因为它具有高集成度，同时仍能提供卓越的性能。
电路描述
输入EMI滤波
保险丝F1隔离电路并提供
元件故障保护，热敏电阻RT1限制浪涌电流和电涌保护。桥式整流器BR1对AC线电压进行整流，并在由C2和C3组成的滤波器上提供全波整流DC。L1与电容器C2和C3的差分电感提供差分噪声滤波。
InnoSwitch3-EP
变压器初级的一侧连接到整流的直流总线，另一侧连接到InnoSwitch3-EP IC（U1）内部的集成725 V功率MOSFET。由D1，R22，R8和C4组成的低成本RCD钳位由于变压器漏感的影响而限制了峰值漏极电压。
IC是自启动的，当首次施加AC时，使用内部高压电流源为BPP引脚电容C6充电。电阻器R3和R4提供线电压检测并向U1提供电流，其与电容器C3两端的DC电压成比例。
InnoSwitch3-EP IC
InnoSwitch3-EP的次级侧提供输出电压，输出电流检测和驱动至MOSFET，提供同步整流。总输出电流由IS和GND引脚之间的R12检测，阈值约为35 mV，以减少损耗。一旦超过电流检测阈值，器件就会调整开关脉冲的数量，以保持固定的总输出电流。SR FET Q1提供5 V输出的输出整流。极低ESR电容C18提供滤波，电感L3和电容C12构成第二级滤波器，可显着衰减5 V输出的高频纹波和噪声。
SR FET Q2提供12 V输出的输出整流。极低ESR电容C19提供滤波，电感L2和电容C14构成第二级滤波器，可显着衰减12 V输出的高频纹波和噪声。RC缓冲网络包括用于Q1的R24和C22，用于Q2的R25和C21阻尼SR FET上的高频振铃，这是由变压器绕组的漏感和次级走线电感引起的。
IC的次级侧由次级绕组正向电压或输出电压自供电。输出电压为器件供电，馈入VO引脚，并为去耦电容C7和内部稳压器充电。当检测到的输出电压低于3 V时，设备进入自动重启。
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