GTR的驱动保护

      最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。
      图2为抗饱和电路。用它可使GTR处于准饱和状态，从而缩短存储时间，但增大导通损耗。其中VD1、VD2为抗饱和二极管，VD3为反向基流提供回路。
      为加速GTR关断，常采用截止反偏驱动电路以迅速抽出基区过剩的载流于。图3为变压器反偏驱动电路。当V导通时，W2的正向电压使GTR导通；当V截止时，W2的反向电压使GTR反偏而迅速关断。图4为互补反偏驱动电路，当输入高电平时，V1及V2导通，使GTR导通；而输入低电平，则V1和V2截止，V3导通，使GTR反偏迅速关断。另外也可采用比例驱动电路使GTR基极电流正比于集电极电流，从而使轻载时的驱动功率减小。
      保护电路包括缓冲电路和过流保护等。缓冲电路也称吸收电路，用于降低浪涌电压、dv/dt、di/dt，减少开关损耗、避免二次击穿和抑制电破干扰，以提高电路的可靠性。图5为合缓冲电路。因为电感电流不能突变.从提供开通保护，限制GTR的电流上升率及开通损耗；而电容上的电压不能突变。CS提供关断保护，限制GTR的电压上升率及关断损耗，RS提供放电回路。这种电路为耗能式缓冲电路，效率较低。图6是馈能式缓冲电路。其中电容CO和电感LS可将储存的能量馈送给负载RL，因此效率较高。VD0为RL的续流二极管。
      GTK出现过电流时，其基极电压VBE和集电极电压VCE均会随之变化。因此可用来进行过流保护。图7是监测VBE的保护电路，图8为监测VCE的保护电路。一旦VBE或VCE高于VR，则驱动管V截止关断GTR。监测VBE适于短路保护，监测VCE适于过载保护。电容C用于提供开通起动电流，该电路在开通过程中无法保护。