单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效
电路及电路符号如下图所示。
a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号
它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型硅片两端制作两个欧姆接触电极，分别叫做第一基极B1，和第二基极B2，硅片的另一侧靠近B2处制作一个PN结，并在P型
半导体上引出一电极叫做发射极E而成。通常把两个基极之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，其值约为2~15kΩ，具有正的温度系数。RBB又可看成由两个电阻串联而成，即B1和E之间的电阻RB1及BZ和E之间的电阻RB2。正常工作时，RB1的阻值随发射极电流IR而变化。PN结的作用相当于一个二极管D。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33、BT35等多种。其中B表示半导体，T表示特种管，3表示电极数，第四个数表示耗散功率（分别代表100、200、300和500mW）。
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