瞬态抑制二极管的特点是反应速度快，体积小，脉冲功率较大，钳位电压低等。瞬态抑制二极管被广泛应用于
半导体及敏感器件的保护，通常用于二极
电源和信号
电路的保护，基本都是用于在陶瓷气体放电管之后的二极保护，也有用户直接将其用于产品的一级保护。下面优恩分享一下瞬态抑制二极管的选型窍门：
首先，确定被保护电路的最大直流货连续工作电压、电路的额定标准电压和最大容限。
其次，瞬态抑制二极管 的额定反向电压应大于或等于被保护电路的最大工作电压，若选用的关断电压太低，器件可能进入雪崩或因为反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流、
第二，瞬态抑制二极管的最大钳位电压VC应小于被保护电路的算还电压。
第三，在规定的脉冲持续时间内，瞬态抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
第四，对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的瞬态抑制二极管器件。
第五，根据用途选用瞬态抑制二极管的极性及封装结构，交流电路选用双极性瞬态抑制二极管比较合理，多线保护选用TVS阵列更为有利。
最后，关于温度的考虑，瞬态抑制二极管的工作温度可以在-55~+150℃。如果需要瞬态抑制二极管在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随着增加而增加；功耗随瞬态抑制二极管结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%的击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须要考虑温度变化对其特性的影响。
