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海飞乐技术SOT227封装肖特基二极管现货替换DSS2x41-01A。
肖特基二极管DSS2x41-01A参数
产品种类: 肖特基二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS
产品: Schottky Diodes
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B
If - 正向电流: 80 A
Vrrm - 重复反向电压: 100 V
Vf - 正向电压: 0.83 V
Ifsm - 正向浪涌电流: 450 A
配置: Dual Parallel
技术: Si
Ir - 反向电流 : 1000 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: DSS2X41-01
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 9.6 mm (Max)
长度: 38.2 mm (Max)
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 115 W
工厂包装数量: 10
端接类型: Solder Pad
类型: Schottky Diode
宽度: 25.07 mm (Max)
单位重量: 30 g
肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑
电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
肖特基二极管的工作原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型
半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的
电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
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