SOT227封装IGBT模块VS-GT175DA120U规格参数及替换

  在中低功率范围IGBT能发挥很大作用，这些范围内要求高度的集成水平。它是一款绝缘模块，不需要底板，只需要一个中心安装螺钉。低电感方案、超灵活设计、最新的硅和碳化硅芯片技术，这些都使得该产品拥有广阔的市场，例如UPS、太阳能、电机驱动和焊接。模块采用的是SPT技术使模块的性能得到了很大的提升。

产品种类:        IGBT 模块       

制造商:        Vishay       

RoHS:        符合RoHS 详细信息       

产品:        IGBT Silicon Modules       

配置:        Single       

集电极—发射极最大电压 VCEO:        1200 V       

在25 C的连续集电极电流:        288 A       

栅极—射极漏泄电流:        200 nA       

Pd-功率耗散:        1087 W       

封装 / 箱体:        SOT-227-4       

商标:        Vishay       

栅极/发射极最大电压:        20 V       

安装风格:        SMD/SMT       

工厂包装数量:        160       

单位重量:        30 g

IGBT保管注意事项

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;

2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;

3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;

4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;

5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

6. 检测IGBT模块的的办法。