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IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
600V75AIGBT模块VS-GB75LA60UF现货参数
晶体管配置 单
配置 单
最大连续集电极电流 70 A
最大集电极-发射极电压 600 V
最大栅极发射极电压 ±20V
通道类型 N
安装类型 螺丝安装
封装类型 SOT-227
引脚数目 4
开关速度 150kHz
最大功率耗散 447 W
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
高度 12.3mm
长度 38.3mm
最高工作温度 +87 ℃
最低工作温度 -70℃
宽度 25.7mm
海飞乐技术肖特基模块可完全替换该产品
IGBT经常出现在大功率
电子电路产品当中，在很多时候，其好坏直接关系到电路的性能。本文将为大家介绍作为一个新手，在IGBT学习过程中必须掌握的IGBT晶体管基础知识。感兴趣的朋友快来看一看吧。
1. 什么是工作电压? IGBT的关断电压最高应不超过VCES的80%。
2. 这是硬或软开关?PT器件更适合于软开关，因其可以减少尾电流，但是，NPT器件将一直工作。
3.流过IGBT的电流都有什么?首先用简短的语言对用到的电流做一个大致的介绍。对于硬开关应用，频率—电流图很有用，可帮助确定器件是否适合应用。在应用时需要考虑到数据表由于测试条件不同而存在的差异，如何做到这一点稍后将有一个例子。对于软开关应用，可从IC2开始着手。
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