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本帖最后由 海飞乐技术 于 2017-11-29 09:41 编辑
IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力
电子技术中得到了越来越广泛的应用。 在中大功率的开关
电源装置中,IGBT由于其控制驱动
电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
1200V大功率IGBT模块VS-GB55LA120UX现货技术参数
配置：单
最大连续集电极电流 84 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
通道类型 N
安装类型 螺丝安装
封装类型 SOT-227
引脚数目 4
开关速度 60kHz
最大功率耗散 431 W
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
高度 12.3mm
长度 38.3mm
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -40 °C
宽度 25.7mm
海飞乐技术IGBT模块可完全替换该产品
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
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