肖特基二极管VS-409CNQ150PBF现货技术参数及替换资料

` 本帖最后由 海飞乐技术 于 2017-11-27 14:20 编辑

  肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
  一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

  肖特基二极管的功能着重体现是在双极型晶体管BJT的开关电路里面，通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS，74ALS，74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。

  肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

肖特基二极管VS-409CNQ150PBF现货技术参数及替换资料
产品种类:        肖特基二极管与整流器        
制造商:        Vishay        
RoHS:        符合RoHS 详细信息        
产品:        Schottky Rectifiers        
安装风格:        Screw Mount        
封装 / 箱体:        TO-244        
If - 正向电流:        400 A        
Vrrm - 重复反向电压:        150 V        
Vf - 正向电压:        1.21 V        
Ifsm - 正向浪涌电流:        20000 A        
配置:        Dual Common Cathode        
技术:        Si        
Ir - 反向电流 :        6000 uA        
最小工作温度:        - 55 C        
最大工作温度:        + 175 C        
封装:        Tube        
商标:        Vishay Semiconductors        
高度:        17.5 mm        
长度:        93 mm        
工作温度范围:        - 55 C to + 175 C        
工厂包装数量:        10        
宽度:        21 mm        
零件号别名:        409CNQ150PBF        
单位重量:        68 g


海飞乐技术肖特基模块可完全替换该产品


   肖特基二极管的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽（DMT）结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H－SiCSBD，击穿电压达550V。
`