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MOS管被静电击穿的几个原因

2014-6-13 10:21:03  1153
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  我们在实际电子产品设计调试过程中,经常会有这样的疑问,mos管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?


  其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。


  静电击穿有两种方式;


  一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;


  二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。


  现在的mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试,基本上摸一个挂一个。


  与干燥的北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。

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2014-6-13 10:21:03   评论 分享淘帖
6 个讨论
所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电
2014-6-13 15:36:40 评论

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接触元件最好带一个静电环。
2014-6-17 17:06:15 评论

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好好看看 不错哈哈呵呵
2014-6-17 23:09:39 评论

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学习了,多谢分享经验。
2014-6-18 02:37:43 评论

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深圳市深华颖电子科技有限公司
高分子静电抑制器生产厂商,免费提供测试,电路静电整改。
郭才伟 QQ 123715582  手机:15818635863
2014-7-14 17:01:25 评论

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cmos管有铝条,是不是互补型结构导致有可控硅存在。
2014-7-23 22:20:49 评论

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