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【交流】XDLab--半导体制造专题

2014-5-14 10:17:17  1628 半导体
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    此专题将逐步介绍半导体的生产流程,通过这个专题,可以了解到:一粒沙子如何变成价值不菲,功能强大的芯片;制程中涉及到的技术;半导体技术的瓶颈;等等;
    如果您想了解更多基本的知识,请积极回复。谢谢!!


    先来个最基本的:半导体行业“黄金定理”——摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。换言之,每一美元所能买到的电脑性能,将每隔18个月翻一倍以上。
    这一定律揭示了信息技术进步的速度。

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2014-5-14 10:17:17   评论 分享淘帖

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3 个讨论
本帖最后由 西电奋斗者 于 2014-5-14 10:43 编辑

【1947,世界上第一个晶体管】     

     1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、约翰·巴顿(John Bardeen)和
沃特·布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。


     
[/url]    
        晶体管之父William Shockley   
[url=http://baike.baidu.com/picture/30363/30363/0/d1e312f4243783d67709d770?fr=lemma&ct=single]
                                

           第一枚晶体管模型





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2014-5-14 10:35:21 评论

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本帖最后由 西电奋斗者 于 2014-5-14 10:55 编辑

【1958,第一块集成电路】

1958年:德仪公司基尔比与仙童公司Robert Noyce间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;



               杰克-基尔比



           第一块集成电路(五个元器件)




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2014-5-14 10:52:22 评论

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【快速发展阶段】

1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺
1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义
1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司
1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现
1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明
1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802
1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世
1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临
1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC
1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世
1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
1985年:80386微处理器问世,20MHz
1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段
1989年:1Mb DRAM进入市场
1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺
1992年:64M位随机存储器问世
1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺
1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;
1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺
1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺
2000年:1Gb RAM投放市场
2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺
2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。
2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。
2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。
2014年:三星10纳米工用于服务器等的NAND闪存(V-NAND)正式投产;

2014-5-14 11:02:05 评论

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