完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
eg:用晶体管特性图示仪测试IDSS,gfs.(N沟道增强型MOS，DW4822特性图示仪）
IDSS: VDS=100V,VGS=0V,MAX 1uA MOS的G,D,S和E,B,C怎么接，x/y轴，幅度/级开关打到哪个档位。终端选择开关是打在E接地还是B接地呢 ， gfs:VDS=20V,ID=12A,,MIN14S MOS的G,D,S和特性图示仪的插孔E,B,C怎么接，x/y轴，幅度/级开关打到哪个档位。终端选择开关是打在E接地还是B接地呢 ， 注：x轴UD档0.1KV-0.5KV,UC(集电极）档：0.1-50V,Ub(基级源信号）档：0.05-1V，跪求大神解答，最好能画个草图，这样能简单明了 
0
|
|
相关推荐 |
|
/6 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
16017
评论
淘帖
6009
