包括高压变频器在内的变频器主电路一般为交－直－ 交拓扑结构，由外部电网输入的工频电源，由三相桥路不可控整流成直流电压信号，经过电容滤波及大功率晶闸管开关器件逆变为频率可变的交流信号。国内高压变频器的整流部分多采用移相变压器使电网的输入电流谐波在４％以下。在逆变器输出回路中，输出电压信号受ＰＷＭ载波信号调制的脉冲波形，对于ＧＴＲ大功率逆变器件，其ＰＷＭ的载波 频率为２￣３ ｋＨｚ；而ＩＧＢＴ 大功率逆变器件的ＰＷＭ最高载波频率可达１５ ｋＨｚ。虽然，高压变频器采用移相变压器、多重化等技术手段使变频器的输入输出波形达到了令人满意的程度，但是其功率在达到ＭＷ级以上，产生的电磁干扰与本身功率成正比，其电磁干扰仍然严重。笔者的同事用万用表测得变频器内部的共模干扰电压达到ＡＣ ２００ Ｖ，也就是说信号线所受的共模干扰电压在ＡＣ ２００ Ｖ以上。 高压变频器信号所受电磁干扰的传播途径 高压变频器能产生功率非常大的谐波，对自身与其它设备干扰性较强。其干扰传播途径与一般电磁干扰途径是一致的，主要分电磁辐射、传导和感应耦合［２］，其具体表现为 １）对周围的电子、电气设备产生电磁辐射。高压变频器的逆变桥采用ＰＷＭ技术，当根据给定频率和幅值指令产生预期的和可重复的开关模式时，其输出的电压和电流的功率频谱是离散的，并且带有与开关频率相应的高次谐波群。高载波频率和场控开关器件的高速切换（ｄｕ／ｄｔ 可达１ ｋＶ／μ ｓ以上）所引起的辐射干扰问题相当突出。 ２）强电磁干扰环境中的变频器电路产生感应耦合，感应出干扰电压或电流。当回路１对回路２造成磁场耦合干扰时，在回路２上形成的串联干扰电压ＵＮ为 ＵＮ＝ｊ棕ＢＡｃｏｓ兹（１） 式中：棕为干扰信号的角频率； Ｂ 为干扰源回路１形成的磁场连接回路２处的磁通密度； Ａ 为回路２感受磁场感应的磁通的闭合面积； 兹为Ｂ和Ａ 两个矢量的夹角。 电磁耦合干扰主要由两类组成：一是恶劣电磁环境中的金属导线回路产生的非常高的共模电压； 二是所测量的电信号本身含有丰富的噪声。当变频器的信号传输线路和变频器的功率逆变器件的物理距离比较近时，逆变器件的高次谐波将通过感应的方式耦合到信号线路中去。
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