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本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-15 16:38 编辑
按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 < 500 mW 按结构分： NPN 、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 > 1 W 1. 直流参数 （1 ）夹断电压U p （2 ）饱和漏极电流I DSS （3 ）开启电压U T （4 ）直流输入电阻R GS 电压控制器件 电流控制器件 i D =gu GS i C =βi B r i 很大，几乎无输入电流 输入PN 结正偏，r i 较小 主要多子导电，受温度影响小 易受温度影响 结构源漏极对称，可互换 结构要求，EC 不可互换 工艺简单，适宜大规模集成 MOS 管易被静电击穿 跨导一般不大，在相同条件下 其电压放大倍数比BJT 小 详情见附件。。。。。。 
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