一文知道宽禁带应用趋势

2020-10-30 08:37:36 1791 宽禁带

0 市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率范围的高性能硅方案，也处于实现宽禁带的前沿，具备全面的宽禁带阵容，产品涵盖碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)分立器件、模块乃至围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，为设计人员提供针对不同应用需求的更多的选择。 0 安森美半导体的宽禁带方案技术及仿真工具优化并加快您的设计.pdf 411.49 KB , 下载次数: 4
2020-10-30 08:37:36　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 什么是宽禁带技术？ 4966 • 什么是宽禁带半导体？ 3938 • 什么是宽禁带半导体？ 10295 • 宽禁带半导体是什么？ 8380 • 宽禁带半导体 4365 • 一文详解下一代功率器件宽禁带技术 2213 • 宽禁带材料测试 1087 • 宽禁带半导体材料有哪些 904 • 揭秘宽禁带器件检测要点？ 192 • 宽禁带半导体应用领域 2665 1 个讨论

0 宽禁带应用趋势据市场调研机构IHS，从2016年到2027年SiC和GaN应用将激增，包括电动/混动汽车及充电桩基础设施、太阳能逆变器、电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)、军事/航空等应用领域，其中电动/混动汽车、太阳能逆变器、电源将是主要的应用市场。 Si的功率覆盖范围较广，但频率不上去。超级结（SJ）的产品可以提高工作频率，使用的范围更广一点。SiC相对具有高频、高功率的能力，但频率范围比GaN低一点，而GaN有最高频率范围，功率却相对低一点。以汽车应用为例，在汽车功能电子化的趋势下，为实现更高的能效，要提高电池电压，这就需要考虑宽禁带方案。如SiC可用于要求小型化、高功率的应用，如牵引逆变器，采用400 V电池的逆变器能效增加65%，采用800 V电池的逆变器能效提升则可达80%。 GaN则在车载充电(OBC)方面更有优势，因为OBC的可用空间有限，而GaN频率范围更高，可缩减系统体积，降低开关损耗，实现更高能效。封装将是市场上宽禁带产品用于汽车的关键：高功率模块用于逆变器以优化散热，减小尺寸；为支持高能效的高频开关，需采用极低电感的封装或模块用于OBC。当然，还有很多系统采用Si技术就可以满足需求，宽禁带器件的成本比硅器件要高，所以需要根据应用需求和成本去综合考量具体使用哪一种技术，以优化设计。安森美半导体的优势在于拥有全系列Si、SJ、SiC和GaN技术以支持客户。

2020-10-30 15:57:39 评论举报 1^# 姜雪