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【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET(之一)

2020-7-16 14:55:31  1683 罗姆
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      罗姆(ROHM)株式会社是一家半导体电子零部件的全球知名的半导体厂商,总部所在地设在日本京都市。 "R" 是公司最初的主要产品Resistor (电阻器) 的起首字母。 字母R与电阻单位"Ω"(ohm-欧姆)拼在一起,便构成ROHM。 "R"现在还代表"Reliability (可靠性) " ,始终坚持“品质第一”
   SiC元器有三个最重要的特性:第一个高压特性,比硅更好一些;而是高频特性;三是高温特性。
    第三代.jpg
C -SI.png
1.png
    罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET
   对应TO-247-4L封装的SCT3040KR,
4R.png
KR.png

   
  TO-247-3L封装的SCT3040KL 1200V 40A插件
3L.png
KL.PNG

驱动板
评估板.png
123.png
456.png



Sic Mosfet驱动电路要求
1. 对于驱动电路来讲,最重要的参数是门极电荷,Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络,因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流,但是在器件开关过程中,栅极的输入电容需要充电和放电,此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快,栅极电容的充放电时间要求越短,则要求输入的栅极电容越小,驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;
2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压,栅极的驱动电压越高,则Mosfet的感应导电沟道越大,则导通电阻越小;但是栅极驱动电压太大的话,很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿,造成Mosfet管的永久失效;
3.为了增加开关管的速度,减少开关管的关断时间是有必要的;且为了提高Mosfet管在关断状态下的工作可靠性,将驱动电路设计成在关断状态的时候,在栅极加上反向偏置电压,以快速释放栅极输入电容的电荷,减少了关断时间,使得驱动电路更可靠地关断Mosfet;但是反向的驱动电压会增加电路损耗,反向偏置电压最好不要超过-6V;
4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率Mosfet,或者是为了提高控制电路的抗干扰能力,此时将驱动电路设计成隔离驱动电路;实现电隔离的方式可以通过合谐振/" target="_blank" class="relatedlink">磁耦合变压器和光耦合器件;但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件,都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容;采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。



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