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我用的是PIC24FJ64GA306，外接32.768KHz晶体。RTCC时间每星期快9分钟。晶体精度约20ppm。我检查过几块板，也遇到过同样的问题。你知道哪里有问题吗？
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14个回答
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确切的晶体零件编号是多少？显示PCB布局的晶体管脚。你把电容放在水晶管上了吗？哪个零件号？你的PIC时钟振荡器有不同的电源模式吗？
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可能是附近的其他线路的噪声耦合。
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在配置字中是否选择了二次振荡放大器的低功耗模式？
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不要错过这些HTTP：//WW1.MICCHIP.COM/.En/AppNoSe/01155A.PDFHTTP://www. MyCHIP.COM/FUMMS/M359363.ASPX
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非常感谢你们的帮助。下面是你们要问的信息：1。科瑞斯特尔：公民315 32.768 KDZC-UT（法尼尔2101356）。2。PCB布局附上。注意，在PCB的另一面有一个接地平面。R5未组装。我不认为噪音耦合是问题。3。正如你所看到的，晶体管上没有电容器。4。时钟振荡器的不同功率模式“-请指引我到相关配置寄存器。5。”二次振荡放大器的低功耗模式“-请指引我到相关配置寄存器。6。RTCC初始化：空隙RTCCA初始化（空隙）{//打开第二振荡器，μBug TyrnRead EnCONCOL（0x02）；/ /设置RTCWREN位*Rug BuffTynRead ErrEx（）；RCFGCABITS.RTCEN＝0；/RTCOUT告警脉冲；PWSPRE禁用；RTLK SSOC；PWCPRE禁用；PWCEN禁用；PWCPOL禁用；RTCPWC= 0xMUN；RCFGCABITS.CAL＝0；// 0调谐// Gal 2016～10-06//启用RTCC，清除RTCWREN RCFGCABITS.RTCEN＝1；RCFGCABITS.RTCWREN＝0；/ /禁用警报ALCFRPT＝0；}
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附上的是PCB布局。
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我仍然推荐读HTTP：//WW1.MICCHIP.COM/.En/AppNoSe/01155A.PDFHTTP://www. MyCHIP.COM/FUMMS/M359363.ASPX
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PIC24FJ128GA306只能通过配置打开或关闭SOSC。因此，它必须只使用低功率振荡放大器模式。要使用配置位打开SOSC振荡放大器：您已经声明在振荡器电路中没有电容器。奥斯特德看起来几乎没有杂散电容。这意味着你需要电容器。对于你的晶胞：Citizen Finedevice公司LtdPart编号：CM315-32.768KDZC-UTDescription：32.768kHz±20ppm晶体9pF70kOhm，这个电路显示出良好的性能：
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我可以评论丹的电路和建议：9PF是一个晶体的负载电容。晶体的这个值应该在振荡时在它的引脚上“看见”。两个具有杂散电容的15PF电容器将非常接近期望的值。只有在这种情况下，才能达到期望的时钟容限。第二个可能的问题是驱动电平。晶体将正常工作只有高达1uW的功率水平（我认为这低于0.3V的正弦电压在70kOhms的等效晶体串联电阻）。如果使用高反馈放大，晶体可能变得过驱动，并且由于振荡失真，公差会降低。这就是为什么需要额外的串联电阻。如果你阅读了所有的微芯片应用笔记，你会发现如何在两者之间选择正确的串联电阻值。UC振荡器输出和晶体槽。一般来说，串联电阻应该比在最坏条件——最低电源电压和最高温度（通常是）下破坏振荡的电阻低三到四倍。
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非常感谢。我会执行你的建议，让你知道它是如何工作的。
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更新：我增加了两个22pF电容（没有电阻），并且接收不到1分钟/月的误差。这比固件校准范围小得多。我正在改变布局，增加电容器和电阻。非常感谢你的帮助。
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对于温度范围在-40至+85摄氏度的测试来说，这是一个很好的结果。对于环境温度变化小于5摄氏度的+25摄氏度的电路，频率应该更接近32.768KHz。在+25摄氏度时，晶体应在规定频率的5PPM（每月15秒）内振荡。要进行足够精确的测量是困难的。直接测量这些低功率振荡器电路几乎是不可能的。它需要一些非常特殊的高阻抗低电容探头。最简单的方法是在60秒的间隔内对来自GPS接收机的每秒一脉冲滴答之间的振荡周期数进行计数。在60秒内有一个32.768千赫振荡器的1966080计数。对于每个计数超过196080或低于196080是大约0.5 ppm的误差。
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对于串联电阻，AN84A称：“RS是一种串联电阻，用于防止过驱动晶体。如果选择适当的增益（时钟模式）、C1和C2，则通常不需要。如果电路被过驱动，并且不能选择低增益时钟模式，那么用RS增加阻抗会降低增益。AN接着提到串联电阻可以提高噪声敏感度。那么，你们振荡器大师怎么说？串联电阻真的是必须的吗？
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你说的没错，AN849确实很少需要串联电阻，但是后来在同一个应用说明中讨论了串联电阻是如何、在哪里以及何时有用的。多年来，Microchip已经发表了许多关于晶体振荡器设计的说明。这些是我可以快速找到的链接：http://ww。1.微芯片.com/...en/appnotes/91097a.pdfhttp://w w w 1.微芯片.com/...en/附附说明/9109097a.pdfhttp://91097a.pdfhttp.1.1.1.微芯片.com//0.1.1.1.1.1.微芯片.com/...en/en/appNote/附说明/0083838a/00838a.00838a/00838a.pdtp://w w w w w w 1.微芯片.com///w w w w w w w 1.微芯片.com/...en/en en/附附说明/008499/00849a/00849a.pdf9a.hip.com/...en/appnotes/00943a.pdfhttp://ww1.micro..com/...en/appnotes/00949a.pdfhttp://ww1.micro..com/...en/appnotes/01155a.pdfhttp://ww1.microhip.com/...appnotes/00001798a.pdfhttp://www1.microhip.com/downloads/en/appnotes/00001859c.pdf相关注意PIC数据表很少为振荡放大器vo指定参数。LTE增益。对于高频初级振荡放大器，这通常不是必需的，但对于低功率次级振荡放大器，这是非常有帮助的。利用这些信息，可以计算振荡器在温度和电压变化的极限下是否会正确工作。似乎，如果没有满足规格，可能导致更多的“好”模具。此外，它还给用户带来了验证振荡器电路设计是否超出温度和电压的负担。使32.768KHz的振荡器启动、按频率运行、以及保持与所选晶体的PPM保持同步，在温度和电压改变触发器方面有很多“魔力”。UCT是针对性的。
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