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3天内不再提示
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C183软启动。
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减小米勒平台，减小关断损耗，这个数字电路无所谓，基本不用
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这个上拉要18K那么大吗？
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仔细分析电容两边的电压不能突变。 这个是PMOS
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实测 是完全没什么用的 ，不太理解为什么加在这里
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并没有起到想要的作用，加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的，他们加着 我们就必须加
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没有这个电容，当后面电路负载电容很大的时候，MOS打开瞬间可能就挂了
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请教一下，加在GS有什么作用？
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安装这个电容的时候，R212不能是0Ω
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设置软起动时间的
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加了这个电容，MOS管的关断速度不是减慢了吗？这样关断功耗不就增大了吗？求指教
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加了这个电容，MOS管的关断速度不是减慢了吗？这样关断功耗不就增大了吗？求指教
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1.这个DG电容在起一个保护作用。
2.100nf/25V这个选型有点不太理解，从截图的电路来说，选取1nF的即可，并且耐压值不需要这么高！左边的是3V3的电源麽，想转换控制Switch电路，应该还有一个control port没有画出来！ |
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mosfet缓启动，防止后端接入大电容时，开通瞬间，大电流烧毁mosfet的作用
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应该是为了软启动
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利用电容充电特性 实现电路的软启动功能
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学习了，应该是16楼的说法。但楼上各种作用皆有，因局部电路通常不能说明问题，外围电路全点估计会更易理解其作用。
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R212=0，VGS怎么满足导通时所需的开启电压呢？
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2018-12-17 08:53:56
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