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3天内不再提示
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如图所示。地址0x6200位置处，已经写入了0x00000002，能否再次在地址0x6200处再次写入另外一个数据，例如0x00000003.求教各位大神指点如何操作。我在测试时发现如果第一次写入的是0x00，可以再次写入别的数据，如果写入非0数，就不能再次写入了。
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14个回答
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嗯，flash擦除次数只有10K，想着尽可能少擦除，不然用不了几次就废了 |
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10K足够用啦
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先读出这个扇区的所有数据放在数组中，然后在数组中把你要写入的数据写到相应的位置，再次擦除该扇区，再把数组中的内容写入扇区，这样又可保存扇区中原来的内容，同时也写入的自己的数据。
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flash不是只能把位1写成0，0要变回1只能擦除嘛。擦除之后flash都是FF，写入时就是把FF中的某个bit位1变成0。
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可能编译器在线调试时取反了吧 |
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苏州名之卓 发表于 2018-8-15 07:28 嗯 目前看只有这一种办法了 |
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是对位操作的，如果flash里改位是1，那可以把其改为0，如果是0，那只能擦除了。可以用位做计数用，节约擦除次数。
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用位做计数用？如果将flash的写入看作位操作，加入某已经写入的32位数据0x00000003，是不是再次写入0x00000001是可以的，但实际测试是不行的 |
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STM32的Flash写入不是按位写入的，而是按照半字或者字写入的，也就是两个字节或者四个字节，一个字节一个字节的写入都不可以，更不要说是1个比特了。如果Flash中已经有了数据，想只改变部分数据，只能通过读取Flash中的数据保存在RAM中，修改RAM中的数据后擦除整页的Flash然后把RAM中的数据按照半字或者字进行写入。
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vyewrewr 发表于 2018-8-15 08:31 嗯嗯 好 只能这么干了 |
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1.STM的一些芯片FLASH擦除后是0，而不是0xFF，具休看datasheet.
2.STM的一些芯片（测试过F407）支持位写入，即如果擦除后为0xFF，则可分几次将位置0，但不能置1.例如可以按顺序写入以下数据：0xFE 0xFC 0xF8 0xF0 0x70 0x30 0x10 0x00，如第一次就写入0x00,那后续不能改成其他数据了。如果擦除后分别写入0xF0 0x0F 则结果是0x00; 3.STM的一些芯片只支持字节写入，即写入第一次后不能更改了，除非擦除。 |
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ctx1129 发表于 2018-8-15 08:19 要看具体DATASHEET， 1.一些型号的FLASH擦除状态是0x00的，支持0->1，不支持1->0。 2.一些型号支持位操作，一些型号不支持位操作。 |
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一般是先读出原数据，判断新数据能不能直接写入，如果可以就不要擦除，直接写入。
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