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本帖最后由 JSD666 于 2017-8-11 11:12 编辑
CR5842B工作原理描述 CR5842B是一款高性能的电流模式 PWM 电源开关，用于超低待机功耗和低成本的离 线式反激转换器应用中。轻载和无负载情况下自动进入绿色模式和 Burst模式，可以有效减 小电源模块的待机功耗，满足能效六级标准要求。 CR5842B内置高压启动和欠压锁定 CR5842B采用了具有专利技术的高压启动电路，在启动时为 VDD提供 2mA 的启动电 流，当 VDD电压充电到高于 UVLO_OFF 时，启动电流关闭，以达到降低系统功耗，减少待机损耗的目的。当 VDD电容上的电压低于 UVLO_ON，启动电流并不会对 VDD 充电，VDD 电压继续下降到 Vth_recovery 阈值后，芯片重新启动。这个迟滞电压有效地降低了芯片在输出短路情况下的短路功耗。 CR5842B软启动 每一次VDD电源启动瞬间，CR5842B芯片内部都将触发软启动功能，即在VDD电压达到 UVLO_OFF以后，在大约4ms时间内，峰值电流从0上升到最大值峰值电流，以减少电源启动 期间功率MOSFET的电压应力。注意：无论何种保护导致的VDD再次启动，都必将触发软 启动功能。 CR5842B功率管驱动 CR5842B 采用栅极软驱动控制。栅极驱动能力太弱将导致较高的开关损耗；栅极驱动能力太强又将导致 EMI特性较差。因此两者之间必须采取一定的折中设计。内置的图腾柱栅极软驱动设计通过调节驱动强度和死区时间很好地实现了这个折中关系，从而使芯片更容易降低系统损耗并且实现良好的 EMI 特性设计。 
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【CR5842B 19V3.42A SMPS 工程样机测试报告】
CR5842B 芯片特性： ● CR5842B 采用内置 700V 高压启动，反激 PWM 控制器； ● 内置软启动，减小 MOSFET 的应力，内置斜坡补偿电路； ● 65kHz 开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的 EMI 特性； ● 全电压输入范围，待机功耗:< 50mW； ● 输出接 18AWG 1.5 米，四点平均效率:>88.0%，满足“能源之星 V2.0- VI 级能效” ● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP 自动恢复等保护功能, OVP 锁存保 护功能； ● 具有输入 欠压 Brownout 保护功能 ● 电路结构简单、较少的外围元器件，适用于 AC/DC 电源适配器、 充电器。 |
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