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本人用1ED驱动芯片和IGBT hp-drive FS820R08A6P2B做MCU的驱动系统,在跑功率标定电机的时候出现驱动芯片CLAMP引脚和VEE2短路,及IGBT软损的情况:
1、电源供电正常,正15V和负8V驱动,纹波基本在500mV以内; 2、跑功率时,功率到达108kw,相电流峰值到达650A,母线电压345V; 3、在转速到达4500rpm时出现损坏,IGBT V相下管的E级有烧黑的小黑点(压接);驱动芯片的CLAMP和VEE2击穿(不确定过流过压,寄回原厂做失效分析只说是电气应力大损坏,讲真,我也知道电气应力大而损坏啊!);IGBT没完全损坏,但从测试结果看,GD之间的结电容应该受损了,Cgd之间的结电容变大; 4、损坏之后换驱动芯片,可以正常跑功率。但在关断后的小尖峰达到20V,持续时间为70ns左右; 由于没有抓到损坏时候的波形,所以有几个问题无法判断: 1、IGBT烧坏的E级,个人认为是经过大电流了,可这个电流的方向呢?从驱动板到IGBT还是从IGBT到驱动板? 2、电气应力大是过流还是过压(可提供失效分析报告;)? 3、电流电压都上去了,为何在某一个转速转矩条件下会出现损坏? 4、小尖峰达到20V,持续时间70ns,误导通风险大不大?门级的TVS(17V)是否会工作? 由于该论坛上传不了图片,所以无法分享太多啊,可以私聊,望大神们能够提供帮助。 |
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7个回答
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你有没有做过1ED020I12FA2这款芯片的短路实验?有没有测过DESET保护电压和保护反应时间?有没有测过关断时Vge的尖峰电压与Vce的尖峰电压?
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我接手别人的项目也用这颗料,总烧,初步分析是OUT或CLAMP过功率引起过温烧毁,特别当频率高时。无过温保护啊!
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徐启轮 发表于 2017-7-5 11:41 1、双脉冲和短路试验都打了,6us的保护时间,现在的关键是不是IGBT,而是驱动芯片损坏; 2、Vce的尖峰电压150V左右,最大功率驱动状态下,Vge上存在70ns左右的小尖峰,您是认为这个尖峰会损坏芯片内部? |
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tgxzer 发表于 2017-7-13 10:24 我的开关频率是10K,门极加推挽,电阻为5ohm; 现在我的处理方式是直接不用CLAMP了,我看过有的公司的处理方法是在外面加MOSFET当CLAMP,不知道您有没有别的处理方法; |
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你这种情况很可能其他元件也受损了,推挽的三极管等外围器件,建议你换驱动板。关断门极有这么高尖峰很不正常,不知道你失效时标定是在电动还是发电模式。
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hzqiang008 发表于 2017-9-5 08:35 推挽没有坏的; 目前检查为止,确定的原因主要是压接IGBT,在接触断面引进的寄生参数有点大,导致振荡尖峰;把IGBT进行焊接就没有这个杂波了; 这个在驱动和发电状态都存在的; |
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JOEBA 发表于 2017-9-6 10:06 关键是70ns的尖峰会影响驱动芯片么? |
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