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粉碎机用的永磁有刷电机选型参考与制作工艺 2019-12-23 14:53

粉碎机厂商选择一家合适的永磁有刷电机厂家，需要考虑很多方面的因素，技术是否达到要求，产能是否能满足后续大量的订单，证书是否齐全，服务是否到位，价格是否优惠等。其中双方沟通的要素点是技术，参数是否符合要求。关于粉碎机要求的永磁直流电机的参数如下：电压：220V 转速：4000rpm 功率：370~550W 工作制：开3分钟停1分钟测试。分贝值：双方定测试方法。没说明的按照距离1m,50db 其实关于技术更深入应该去工厂了解永磁有刷电

东弘机电

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工业控制中电机系统的设计方案 2019-12-27 14:56

随着能源成本的持续上涨，业内开始采用微处理器调速驱动器替代效率低下的固定速率电机和驱动器，这种新型电机控制技术与传统驱动器相比，能够使能耗平均降低30%以上。

独爱72H

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交流电机与直流电机原理区别 2019-11-06 09:49

下面用最简洁最易懂的方式来说一下直流电机和交流电机的工作原理和区别。

姚小熊27

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交流电机分为哪几种_交流电机分类有哪些_交流电机的电源和变频调速 2018-05-10 10:19

由于交流电力系统的巨大发展，交流电机已成为最常用的电机。本文首先介绍了交流电机分类及原理，其次阐述了交流电机优缺点及交流电机分为哪几种，最后介绍了交流电机的电源和变频调速，具体的跟随小编一起来了解一下。

h1654155282.3538

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一文了解电动车电机中有霍尔和无霍尔的区别 2018-07-12 10:19

霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。

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最新SiC器件与Si IGBT的性能比较 2019-11-08 11:41

直到最近，功率模块市场仍被硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）把持。需求的转移和对更高性能的关注，使得这些传统模块不太适合大功率应用，这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。

电子工程师

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对SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍 2017-12-21 09:07

众所周知，SiC材料的特性和优势已被大规模地证实，它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一，因为在出现基于Si材料的IGBT和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。

kus1_iawbs2016

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入了解SiC MOSFET实现建议和解决方案示例 2018-07-04 09:01

对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是，SiC MOSFET 也存在自己的一系列问题，包括稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡，以及故障处理等。对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对设计的影响。本文将提供此类见解，以及实现建议和解决方案示例。为何使用 SiC MOSFET 要充分

Duke

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IGBT在电路设计中需要遵守的准则，为什么IGBT会在电路中失效？ 2017-05-16 09:05

IGBT栅极负偏电压—UGE直接影响其可靠运行，负偏电压升高时集电极的浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著的影响。—UGE与集电极浪涌电流和关断能耗Eoff的关系分别如图2（a）和（b）所示。栅极电阻RG增加，将使IGBT的开通与关断时间增加，因而使开通与关断能耗均增加。而栅极电阻减小，则又使di/dt增大，可能引发IGBT误导通，同时RG上的损耗也有所增加。

Wildesbeast

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IGBT驱动要点及保护电路分析过程结果 2019-07-26 09:46

IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。在设计栅极驱动电路时,当栅极驱动电压大于阈值电压时IGBT即可开通,一般情况下阈值电压Uge(th)=5～6V。这样即可以使IGBT在开通时完全饱和,通态损耗最小,又可以限制短路电流。因此栅极驱动电压Uge需要选择一个合适的数值,以保证IGBT的可靠运行。栅极电压增高时,有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗,但同时将使IGBT能承受的短路时间变短(10μs以下),使续流二极管反向恢复过电压增大,所以务必控制好栅极电压的变化范围,一般Uge可选择在-10～+15V之间,关断电压为-10V,开通电压为+15V。因此通常选取栅极驱动电压Uge≥D×Uge(th),系数D=1.5、2、2.5、3。当阈值电压Uge(th)为6V时,栅极驱动电压Uge则分别为9V、12V、15V、18V,12V最佳。使IGBT在关断时,栅极加负偏压,以提高抗负载短路能力和du/dt引起的误触发等问题。

BhHn_Mic

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硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动几个方面的不同 2019-12-09 13:58

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面

汽车玩家

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国产IGBT，任重而道远！ 2018-05-17 09:42

48V系统将迅速推动市场，市调机构Yole Développement(Yole)预测2017~2023年期间轻度混合动力汽车的复合年成长率将达到50%，因为这些低成本的电动汽车具有吸引力。

kus1_iawbs2016

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美浦森：我们的碳化硅器件裕量高，产能足 2019-12-25 18:20

在采访中朱勇华介绍了美浦森的发展现状，以及本次展会展示的特色产品，他还特别介绍了该公司碳化硅器件的特性。

Wenzhi Cheng

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中国IGBT和国外的差距到底有多大？ 2018-05-03 10:50

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

vrkS_rfsister

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国内IGBT产业链主要公司及主要产品 2018-04-03 11:26

IGBT作为能源转换与传输的核心器件，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点。被大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等，是上述应用中的核心技术，市场需求巨大且与日俱增。但是在过往，国内在高功率的IGBT方面的布局是空白的。

oRtX_gh_f522785

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