发 帖  
经验: 积分:1
学生
山东省 济宁市 学术研究/学生
  • 本文开始介绍了移相全桥的定义以及移相全桥的拓扑结构,其次阐述了十二种移相全桥的工作模态,最后介绍了移相全桥ZVS变换器的原理与设计。
    姚小熊27
    200433次阅读
    1条评论
  • 5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。
    MWol_gh_030b761
    35857次阅读
    0条评论
  • 作者:United Silicon Carbide公司新产品导入经理Zhongda Li 宽带隙器件的承诺 诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)器件是当前的热门话题,这些器件承诺可以把从通用无线充电到功率转换器的解决方案缩小到非常微小的尺寸。然而,这些都是从理论计算的性能表现,实际上并非如此。 我们这里先回顾一下,简单介绍什么是宽带隙器件。半导体中具有束缚的电子,分别占据原子核周围价带和导带的不同能级。电子可以跃迁到导带并且可用于电流流
    Duke
    10719次阅读
    1条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 0 次赞同

    获得 3 次收藏
关闭

站长推荐 上一条 /6 下一条

返回顶部