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罗姆P02SCT3040KR-EVK-001 评估板免费试用

SiC-MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001适用于ROHM的1,200V/20A、500kHz SiC MOSFET的评估内置绝缘栅极驱动IC (BM6101FV-C),简单即可进行TO-247 3pin与4pin封装 ...了解更多>>

价值:¥2000元提供:10 已申请:25
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罗姆SiC-MOSFET简介

SiC MOSFET消除了开关期间的拖尾电流,使得操作更迅速并减少了开关损耗。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷。SiC的导通电阻增加量极小,并提供比Si器件更大的封装微型化和节能效果,因为Si器件的导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上。SiC MOSFET的特性在医疗成像设备中的价值尤为突出。它具有近乎瞬时开关的能力,让制造商能够打造适用于X光设备的高压开关,使技术人员能够更好地控制测试期间的辐射暴露,同时仍然提供高质量的测试结果


罗姆SiC-MOSFET的特点

· 高速开关

· 低导通电阻

· 寄生二极管的反向恢复工作特性更加

· 功率损耗大幅降低,开关损耗降低73%


罗姆SiC-MOSFET的应用

· 太阳能功率调节器

· 电源

· 车载(EV/PHEV)用充电器

· 车载(EV/PHEV)用DC/DC转换器


罗姆P02SCT3040KR-EVK-001评估板详情

· 罗姆 SCT3040KR1200V40mΩTO-247-4L)评估用
通过改变电路乘数器,可用来评估罗姆其他 SiCMOSFET

· TO-247-4L外,还有TO-247-3L的通孔,可在同一评估板上进行对比评估

· 单一电源(+12V工作)

· 可进行最大150A的双脉冲测试,最大开关工作频率500kHz

· 支持各种电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge

· 内置栅极驱动用隔离电源,可通过可变电阻调整(+12V+23V

· 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压

· 可防止上下臂同时导通,内置过电流保护功能(DESAT, OCP




罗姆P02SCT3040KR-EVK-001评估板的应用示例



ROHM Solution Simulator的电路 (半桥电路拓扑)


活动时间

1. 申请报名:2020/03/16-2020/04/15
2. 公布名单:2020/04/20
3. 发货日期:2020/04/21

4. 试用期限:截止至6月3日


活动流程

1. 申请:点击免费申请按钮即可报名。请认真填写申请理由,展现有创意的试用计划和网络影响力,尽快完善论坛个人信息,这样可以大大提高申请通过几率哦~;

2. 筛选:网站根据申请者填写的试用计划和论坛活跃度两个维度进行筛选;

3. 名单公布:试用名单将在活动页公布;

4. 试用通知:名单公布后工作人员将以短信或电话的方式通知申请成功者,2天不回复算弃权;

5. 产品寄送:联系到试用者双方确认试用规则后,将产品快递给试用者;

6. 试用报告:收到货后试用开始,每周至少提交一篇试用报告,试用报告要求100%原创,抄袭会被封杀哦;

7. 产品回收:评测完成后将由罗姆进行评审决定是否可以赠与。


试用报告说明

试用者收到评估板后,进行学习评估,并在电源技术论坛http://bbs.elecfans.com/zhuti_power_1.html发经验帖记录 罗姆SiC-MOSFET 评估板试用心得。

经过试用评测学习后,试用者使用开发板并在论坛发帖记录项目过程、心得。
试用报告可分为:项目概述、硬件设计、软件调试、视频效果演示,要求不少于500字+5张图片。
试用报告形式:标题格式【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载 +自拟标题


注意事项

1.本次试用不进行拉票环节;
2.不按照要求完成试用者一经查实将拉黑处理;
3.有问题请联系电子发烧友工作人员(qq:3353671470,微信:elecfans008);
4.若因突发状况,无法继续完成试用,以及收到套件的15天内,若没有更新内容,请主动退还套件至ElecFans(PS:运费自理),方便其他网友继续试用;
5.活动过程中,套件所有权归ElecFans,试用者只拥有套件使用权; 若在使用过程中出现恶意损坏开发套件的行为,请原价赔偿;
6.电子发烧友拥有最终解释权!

企业介绍

罗姆(ROHM)成立于1958年,由最初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为全球知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。
罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

他们正在申请

1.我司是业内超大功率LED灯具和投影设备的领导者,作为关键技术点之一的2500W级LED电源是我司一直边研发边生产边应用的项目。 2. 作为下一代有希望代替硅基MOS的SiC-MOS一直是我司关注的重点,欣闻贵司有此有利行业发展的善举,特别高兴

czj537515

21:0203-26
高压伺服逆变电路优化提升效率

wangzhaohuifs

19:3803-26
升降平台,电机驱动模块开发。

coldcigar

18:2303-26
本人从事电力电子开发与研究已有10年,目前在进行微电网结构与其控制相关项目,我们拥有两电平和多电平并网逆变器,需要将逆变器功率器件全部更换为SiC MOS,以提高功率密度,计划今年上半年完成此项工作,可以采购罗姆器件,所以急需该评估版以测试和深入了解SiC MOS的性能和驱动,望批准!

张书存

16:1203-26
评估性能

山坡坡

14:4003-26
申请理由 本人有七年开关电源设计经验,为匹配新项目对低EMI噪声的要求,进行基于新器件新模式的开关电源设计研究。正好有此机会,借助该平台完善该项目的开源设计。 项目计划 ①根据文档,对该型号开关电源详细了解 ②通过样品电路板进行深入测试,了解清楚器件性能,熟悉开发过程和关键特性和技术指标 ③基于测试数据对该型电源做评估,对该技术和新器件的数据做汇报 ④项目开展,按时间计划实施。 ⑤项目调试,优化,分享。 预计成果 分享项目的开展,实施,结果过程,展示项目结果

jf_58451331

14:3303-26
借助他SiC开发板开发高功率密度逆变器,输出大功率逆变器

hittom

10:4303-26
替代原来使用的150v mos

熊宇豪

09:1503-26
申请理由:本人一直从事电源领域的学习与研究,并在前一段时间对于宽禁带SiC器件进行了深入的调研,准备开展其在电动汽车充电领域的研究,想借助发烧友论坛完成项目的设计。 项目计划:1)研究与分析双向谐振式DCDC变换器的工作原理;2)下载器件模型在ADS上搭建仿真电路,同时设计SiC管的驱动策略;3)采用耐压1200V额定电压SiC功率管和高压无源器件完成双相谐振式DC/DC变换器的板级电路的搭建。 预期性能指标:输入电压800V,输出电压400V,额定功率3.3kW;开关频率200kHz;满载效率>90%;电压纹波和电流纹波均小于1%。 预计成果:分享项目的开展,实施,结果过程,展示项目结果

机器人毛毛

08:0803-26
申请该开发版后续可进行相关采购

13714322681

22:2903-24
1、智能家居产品:家智宝; 2、罗姆SiC-MOSFET 评估板学习 3、制定项目的研发周期及初步可行性计划 4、按计划进行,记录测试结果 5、成果共享。

斗战神2019

22:0803-24
1.熟悉固态继电器未来高压直流类继电器的功率器件,碳化硅及igbt等元件的工作特性。 2.熟悉碳化硅及igbt类,高压大电流类继电器的输入及输出电路的可靠性验证。

skywu520

21:2703-24
目前在做大功率无线供电,2KW-5KW项目, 驱动线圈的MOS管要耐压高,发热小。

放生茅草屋

08:2303-24
申请理由 公司产品升级更新,想借助发烧友论坛和LattePanda平台完善该项目的设计。 项目计划 ①根据文档,对LattePanda快速入门 ②通过学习LattePanda的软件和系统,了解实际应用案例,熟悉开发过程 ③基于LattePanda的MR混合现实眼镜的项目筹备(分析软硬件需求) ④项目开展,按时间计划实施。 ⑤项目调试,优化,分享。 预计成果 分享项目的开展,实施,结果过程,展示项目结果

Lensire

17:1103-23
1.理由:该评估板具有快速反应的开关特性,功率耗能比较少,开关损耗比较低,本项目将应用在电源DC/DC转换,根据其特性符合项目研究需要求。 项目名称:智能双向车载充电器DC/DC研发 计划:准备与已设计好的负载连接,形成整体电路网络,测试电路能耗是否与达到预期的效果,同时调试负载在DC/DC转换过程是否存在电压波动。 预计成果:形成一个比较完善的电源充电器的DC/DC转化系统

13819348

21:5303-22
开发x射线骨密度成像仪。

潜龙思瑞

11:0603-20
听说SIC MOSFET没有拖尾电流,使得操作更迅速并减少了开关损耗。所以很想试试。以前就想做个开关电源,这次试用我觉得是个机会。我如果得要板子一定从下面几项发贴:1,原理分析,2,DC-DC,AC-DC实测,希望批准试用。

wstcllx

21:5603-19
申请理由:最近公司在做双脉冲测试仪。了解了一下SIC器件的特点。耐压和TRR都比普通mos优秀。看到这个试用。想进一步了解Sic mos 试用计划: 1、测试板卡性能。 2、用公司MOS测试仪测试碳化硅器件的特性。 3、编写测试报告。

616429331

12:3603-19
1.近期计划立项开发新能源汽车用车载控制器,目前处于芯片选型阶段,需要申请样板评估该器件是否满足使用要求。

2193890

12:0403-19
DC 24-36V 50-100A

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