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[分享] [转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果
2014-5-7 15:30:16  3028 英特尔 台积电
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转自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM

台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果

晶圆代工龙头台积电16纳米鳍式场效晶体管升级版(FinFET Plus)将在明年1月全产能量产,搭配整合型扇出晶圆尺寸封装(InFO WLP)的系统级封装(SiP)技术,在x86及arm架构64位应用处理器代工市场已是毫无敌手,可望直取英特尔SoFIA、苹果A9大单。
台积电今年全力冲刺20纳米系统单芯片制程(20SoC)产能,由于已抢下苹果A8处理器及高通、英特尔、NVIDIA等大单,不仅第1座支持20纳米12英寸厂南科Fab14第5期已全产能投片,第2座12英寸厂Fab14第6期将在7月正式进入量产,将成为台积电第3季营收挑战2,000亿元新高的重要动能。

台积电原本计划在今年底转进16纳米FinFET制程,但因许多客户认为16纳米FinFET与目前量产中的20纳米SoC制程相较,效能及功耗上并无太明显的差距,也因此,台积电加快脚步开发出16纳米FinFET Plus制程,除了可较16纳米FinFET技术提高15%效能,在同一速度下还可降低30%的功耗。 采用16纳米FinFET Plus技术的首颗芯片将完成设计定案(tape-out),今年内完成设计定案的芯片数量可达16颗,明年将放大到45颗。由于上游客户对于16纳米FInFET Plus需求远远高于原先规画,所以台积电明年资本支出将维持在100亿美元高水准,全力扩产因应强劲需求。

除了在晶圆制程上的推陈出新,台积电也决定提高在SiP制程上的研发力道,除了目前已开始小量生产的CoWoS技术之外,针对中低端处理器市场量身打造的InFO WLP封装技术也可望在今年底开始生产,同时可支持Wide IO接口DRAM芯片的封装内建封装(PoP)技术。 台积电明年靠着16纳米FinFET Plus及InFO WLP等两大武器,不仅可以有效对抗三星及GlobalFoundries的14纳米FinFET制程联军,还可回防全球最大半导体厂英特尔的步步进逼。 业界人士指出,台积电整合16纳米FinFET Plus及InFO WLP所推出的一元化(turnkey)服务,可将64位应用处理器的运算效能及低功耗特色发挥到极致,对手因技术及产能无法追赶上,台积电等同于将通吃x86或ARM架构的64位处理器代工市场订单,英特尔SoFIA及苹果A9两大订单等于手到擒来。
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