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芯片特性
● 驱动三个半桥(6 个 NMOS) ● 宽电压 4.7~36V ● 低功耗同步整流 ● 霍尔元件输入 ● 内置低压保护与过温保护 ● 低电流睡眠模式 ● FG 转速输出 ● 死区时间防穿通 ● 堵转锁定保护 ● 过压保护 芯片介绍 GC4931F/S 是一款三相无刷直流电机预驱动芯片。芯片可以驱动 N 型功率 MOSFET,最高电源到 36V。 芯片状态切换逻辑受三个相位差为 120° 的霍尔输入确定。芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流; 堵转保护时间可调; 过温保护, 过压监测, 同步整流等等。其中内置的同步整流器通过在衰减周期内,打开合适的低内阻的开关管以取代反向续流二极管来降低功耗。 当芯片监测到过压时芯片会关断同步整流以减小变化电流引起的电源电压波动。 GC4931F/S 的逻辑输入脚有使能控制(ENABLE) , 方向控制(DIR) , 刹车控制(BRAKE) ; 逻辑输出脚有 FG1, FG2 与霍尔信号对应, 可以用来监测转动速度。芯片工作温度从-20~105℃。 封装形式采用5mmx5mm 的 QFN 28 脚, 底部有散热片。GC4931F 工作电压低至 4.7V, GC4931S最低工作电压在 7V. 管脚分布图 管脚描述 内部框图 图 1 GC4931F/S 内部框图 极限参数(一般无其他特殊注明时, T=25℃)
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不错,收益非浅
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IGBT驱动波形负压关断时有上升尖峰,请问有没有办法可以抑制?
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