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[问答] MOS输出短路保护电路出现mos管被击穿现象
1068 MOS管 保护电路
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电路如图,实测电路上电后,当出现负载短路、过流时,mos管关断,电源无输出。但是,如果先将负载短路,再给电路上电,则Q2管子会被击穿,有时甚至有炸管的现象。请教各位帮忙分析一下该如何改进
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2020-2-16 07:00:00   3 评论 分享淘帖 邀请回答

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3 条评论
10个回答
检测和动作之间存在时差
2020-2-16 12:31:46 评论

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那就说明这样的电路设计存在问题,不适合用于短路保护,更换思路或许能柳暗花明。
就我个人观点也不喜欢这种电路方式,喜欢另一种方式,就像是三极管发射极到地间有一电阻的负反馈这样的方式更保险。
2020-2-16 13:03:58 评论

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仿真图都画好了,完善一下,进行仿真,可以把问题解决在事故之前。
2020-2-16 15:11:41 评论

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场管烧了就说明功率不够大,你可以换个大点的场管。不想换就降低一下过流触发点,R3增大点。如果还不想降低过流触发点,那就去掉C3吧尝试一下吧,这个C3主要作用是过流触发时的延时。
2020-2-17 15:24:47 评论

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2020-2-19 14:43:50 评论

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表示电路俺完全看不懂。。。。。。
2020-2-19 15:45:32 评论

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存在问题已经找到。待整理后发出。
2020-2-20 09:22:43 评论

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2020-2-24 10:05:01 评论

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本帖最后由 bigbigmule 于 2020-2-25 13:26 编辑

简要的汇总下这个问题,根据现象描述,1.在MOS完全开启后,负载短路,MOS OK,短路保护电路有响应;2.MOS未开启,负载短路,短路保护电路无响应,MOS损坏。这两条可以总结为一条疑问,MOS完全开启与从未开启到开启这两者的区别是啥? 我们从功率的角度进行分析,针对MOS完全开启后,MOS的导通阻抗R较小,DS间的电压受I1与R影响,P1= I1* I1*R;针对mos由未开启到开启这个过程,存在一个米勒平台的问题,在米勒平台期间,DS间电压与导通阻抗以及电流无关,最大是输入的电压(本题是24V),那么这个米勒平台期间的损耗P2 =  U * I2。功率计算完了,讨论下I1 与 I2,对这个电路而言I1电流最大只能是保护电路响应的电流,可以依据BJT开启的电压进行计算I1的大小;I2则是mos最大可允许的电流需要依据MOS的耗散功率计算,从结果看I2要小于I1。所以要解决目前你遇到的这个问题,需要综合考量I1 & MOS的耗散功率情况,最直接的方法增大采样电阻或者更换耗散功率更大的MOS(具体多大可以计算得来),如果是批次生产,注意器件的一致性情况保证设计有足够余量!
2020-2-25 10:25:59 评论

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最直接的方法增大采样电阻或者更换耗散功率更大的MOS,注意器件的一致性情况保证设计有足够余量!
2020-2-27 09:03:51 评论

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