发 帖  
原厂入驻New
[讨论] 【高分奖励】电子老顽童:电路中Mosfet驱动问题讨论
2019-11-21 15:49:45  1859 MOSFET 12V 电路 驱动器
分享
看这两个电路,有两个问题:
1.都可以驱动Mosfet,分析两个电路的优缺点
2.假如将12V,替换成36V、48V甚至更高的电压,电路能否沿用?如不能,需要做哪些修改?
1.png
Mosfet驱动问题讨论.pdf (79.72 KB, 下载次数: 243)

替换如下,讨论问题不变(
Mosfet驱动问题答复1.pdf (76.6 KB, 下载次数: 7)

1.png



2
2019-11-21 15:49:45   1 评论 分享淘帖
1 条评论
18 个讨论
2019-11-21 15:55:06 评论

举报

截图太模糊了,看不清
2019-11-21 16:03:47 评论

举报

楼上的,可以点击图片放大,或者下载文档,观看@amitacai
2019-11-21 16:13:35 评论

举报

因何要设计这么啰嗦的电路?一个光耦足够,且使用的元件少,不需要共地。
依我看前电路比后电路更合理,不过2个电路设计都不够经典,适用不同电压值的灵活性不足,不如光耦适用电压范围广大。
2019-11-21 16:22:44 4 评论

举报

4 条评论
  • ARMLIUNX 2019-11-21 21:26

    啰嗦么?还好吧

    xianfajushi 回复 ARMLIUNX: 2019-11-22 06:45

    你是想看我用三极管设计的,还是用光耦设计的?因何啰嗦,不过就是个电压转换,不需要使用那么多元件,元件不用花钱?不占有地方?

    ARMLIUNX 回复 xianfajushi: 2019-11-22 10:19

    电路当然要针对不同的运用场景做优化,我们这里主要分析讨论两个电路性能上的优缺点,至于适用不同电压值的灵活性不足,在上面两个电路中,仅仅只需要加入一个反馈回路,在一定电压范围内,是完全可以适用的;当然前提是要更换Mos管、三极管(更换其中一个就可以)

    xianfajushi 回复 ARMLIUNX: 2019-11-22 10:47

    请教如何加个反馈回路实现宽电压适用,请给个图学习一下。

右边的图不能用,Q8导通时,烧坏Q5;Q8不导通时,Q5发射结悬空了,Q5不工作,Q10也不工作。
2019-11-21 16:22:52 2 评论

举报

2 条评论
随便说说吧
左图的Q9有电阻限流,右图Q10没有电阻限流,至于没限流实际会怎样我也没试过,理论上不好就是了(相当于短路了)。
所以感觉左图优于右图

至于说将12V换成更高的电压这个问题,必须要更换AO3400A。
换个Vgs更大的,不然电压大于12V就有可能击穿Vgs,因为实际应用中炸过几次,哈哈
2019-11-21 16:24:35 1 评论

举报

1 条评论
有个疑问,单pwm为高电平时,右边的Q4会导通一下然后又关?提出一个疑问,望解答?
1.png
2019-11-21 16:50:00 3 评论

举报

3 条评论
那个10pF的电容是干嘛的?放哪不就是把MOS管的速度拉低了么,如果这个驱动低速还好,要是高速的话这应该是败笔。
5 条评论
两图当中MOS管左侧电容压根不需要;右侧图片当中Q5集电极需要加个到地的电阻,阻值在10K左右;至于电压等级升高后 两种三极管以及MOS管的耐压将无法承受  
2019-11-21 22:20:26 5 评论

举报

5 条评论
至于一个电路要在宽电压范围适用,则需要在电路中有恒流恒压电路,恒压主要用于场效应管栅极控制电压,如果说要设计一个比恒流二极管更省电的电路而使用多个元件情有可原.
这里高手云集我设计的一个电路至今无人褒贬,因此,似乎是班门弄斧了,在此也就纸上谈兵发自己看法而已,也是来学习的.
2019-11-22 09:56:13 2 评论

举报

2 条评论
  • liuyongwangzi 2019-11-22 10:17

    电子老顽童来看看

    ARMLIUNX 回复 liuyongwangzi: 2019-11-22 10:53

    后面我会上传关于这两个电路,当初在图纸设计时的一个考量,只是提供一种设计上的思路;个人观点,如有不对,还请见谅,不能一概而论的说这个、那个电路不好,每个电路性能都有其优缺点;在实际的应用场景中,选取最优的方案设计就好了;

MOS驱动的本质是给GS间电容充电,所以需要快速充电到开启电压,在关断的时候需要快速放电,按照这个需求分析电路即可。如果频率要求不高,就简单的推挽输出驱动就可以了,如果频率高了,在想办法加速开启和加速关断,网上很多关于米勒平台的分析,它关乎开关频率的限制,自己去网上搜很多驱动方案。另外在一些拓扑比如全桥应用中使隔离驱动,可以用变压器或者光耦隔离。

评分

参与人数 1积分 +5 收起 理由
ARMLIUNX + 5 分析思路清晰,

查看全部评分

2019-11-22 13:22:41 2 评论

举报

2 条评论
MOS驱动的是给GS间有电容,当上升沿时电容的存在,它不能由低电平,立刻变高电平,GS电容会有一个充电时间,获取高电平时间比较了,电容充电波形变宽,此时MOS管处于半导通状态,此时的RDS阻抗比导通要大,同时在大电压,大电流下,产生功耗(插入损耗),mos管会发烫,选型时,选取gs电容比较小的。
2019-11-23 21:58:59 评论

举报

过来学习一下哦过来学习一下哦
2019-11-25 14:07:05 评论

举报

这个写错了吧,q7是控制q6基极的电压,q7导通那基极0.2~.03,低电平,不应该是3.3v
1.png
MCU不能直接控制 Q6吗?不就是3.3控制12V驱动一个高压MOS吗
2019-11-26 13:49:24 1 评论

举报

1 条评论
这样电路费心分析都多余,其实2个三极管就实现了的.
2019-11-27 11:11:41 评论

举报

我来说一下,这个电路比较的画蛇添足,元件多,最主要的是Q3,Q9会不会有死区,肯定有,这一次没有,可能下次就有了,我估计你在十分钟内,如果做PWM调制的,这里面一定会挂,
这个电路就是一个NMOS,在低压区,起开关作用的就是Vgs,   选用低Vgs的NMOS就可以解,AO3400就是个低电压型的,
0-0.4V可以关断,  1.1-3.3完全可以开通,加一个4.7K下拉就可以,完全不要画蛇添足一些驱动电路了
2019-11-27 12:32:40 2 评论

举报

2 条评论
  • xianfajushi 2019-11-27 15:48

    就算不是低压元件,2个三极管和几个电阻也足够驱动场效应管了,都是工作在开关状态,非常容易设计.

  • xianfajushi 2019-11-27 15:52

    前2天设计延时自锁过流保护确不易,悠哉2天也算是完成了,像这题的驱动唾手可得.

mos管的电容不必要吧

撰写讨论

你正在撰写讨论

如果你是对讨论或其他讨论精选点评或询问,请使用“评论”功能。

高级模式
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉
发讨论
关闭

站长推荐 上一条 /7 下一条

快速回复 返回顶部 返回列表