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[问答] 为什么写入闪存会扰乱时钟频率?
142 闪存 PWM 代码
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经过大量调试,我终于偶然发现什么原因导致我的代码部分不能正常工作。看来,当我在我的4100个BLE芯片上写Flash时,它引起了两个问题:
1。在写到Flash之后的一段时间里,我的UARTX/RX变得越来越糟,我在终端屏幕上看到了一个胡言乱语。我相信这是因为时钟驱动UART,这是来自HFCLK,正在受到冲击,这意味着我的波特率是短暂的。
2。此外,在写Flash之后的短时间内,我的PWM信号,也被从HFCLK得到的时钟信号驱动,处于Turbo模式,并且似乎是我想要的频率的大约10倍。
在这两种情况下,我的HFCLK都来自IMO。
写FLAH时,这种行为会被期待吗?我不确定IMO应该有多稳定,最好的办法是绕过它。在短期内,我只是把我的文字转换为Flash代码到UART和PWM不被使用的时间点,或者对硬件的运行并不重要,但是我想知道根本原因是什么,以及我如何绕过它。
有人能提供意见和建议吗?
干杯,
迈克
0
2019-11-1 10:36:26   评论 分享淘帖 邀请回答

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2个回答
迈克,看一看“系统参考指南”(创建者帮助菜单)来获得时钟和设备受Flash写影响的描述。
鲍勃
2019-11-1 10:55:06 评论

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我也花了很多时间。
包含Sflash功能的示例项目“RealeUsSersFLAS.C”不会使时钟处于相同状态,在运行后将所有的东西都弄乱。
最后,在每次Flash写入之后,重新运行包含在CyfFiTyfCF.C中的时钟初始化。
2019-11-1 11:13:28 评论

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