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亲爱的大家,我们有一个12F683的项目,我喜欢在12F1571/2图片中使用。我显示不同的是在内存RAM块(0x20和0x70),配置寄存器和端口分配,这没问题。但是我需要使用静态内存(12F683中的EEPROM,它很容易,并且没有问题地运行),但是,我没有有关HEF使用的信息,或者关于这个问题的任何示例。内存组织和程序分配(12F683中的org 0x2100),我展示一些关于0x1800到0x18FF的信息是HEF范围,但是不知道如何将初始数据放入ASM程序中。有关于这方面的信息吗?还是一个简单的程序使用HEF功能为闪存PIC在ASM?谢谢
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7个回答
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您可能使用“de”来定义您的EdEATA块。将它改为“DB”来定义字节,但还需要将原点设置为高持久性块的开始。按照惯例,较早的PIC16F/PIC12F设备在0x2100的十六进制文件中编码EdEATA。更新的PIC12F1/PIC16F1在0xF000编码。但是HEF在程序空间中。示例(由MPASM用户指南DS33014L提供,第4.16.6段)org 0x780;HEF块开头(PIC12F1572)db 0,“M”,0,“C”,0,“U”;Ch_strng包含3 14位;编号:004Dh,0043h和0055h。分别是“M”、“C”和“U”。还要注意,虽然EEData字节可以单独更改,但是HEF只能写1到0。擦除是0到1的过程。在PIC16F157x开发中,可以单独进行写入,一次擦除重置16个字冰。
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HEF上的一个附加注释,每个单词的低8位是HEF。这意味着它们必须通过间接读取,而不是返回常量。形成OpCode的上比特不会持续。
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也就是说,不要使用一个计算的跳跃(通过写入PCL)到一个RTELW指令表中。
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是的。
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谢谢你提供的信息,Danno,NKurzman和qhb。这周我没有时间检查所有的信息,并且对于正确的实现有一些问题。对于定义,对于使用db,我认为可以将定义放在任何位置,在本例中是在HEF块上(如果PIC16F18313使用EEPROM,但是使用相同的方向存储器,而不是分开的EEPROM)对于写和擦除功能,如果首先需要擦除,在写之前,并且这个动作重置16个字,我的问题是:擦除16个字,是从FSR地址开始的,还是有任何块分组?如果需要更改1个单词,首先可以读取16个单词,存储在RAM中,进行更改和擦除/写入功能?关于GHB观测的另一个问题,如果我可以在这个单词中放置一个RelLW操作码来恢复LSB字节?并且,如果这是可能的,可以使用程序数据表,并自行编写这个程序数据吗?该程序在生命周期电路中只写100次,只用于ID参数(我显示闪存可以重写10K次,100KHEF和1M次EEPROM),我不需要重编程序。谢谢你的答案。
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HEF和EEPROM之间的另一个区别是,擦除/写入HEF需要相当长的时间(几毫秒),在此期间处理器停滞。您需要确保这不会损害您的功能。PIC16F18313具有正常的EEPROM。
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嗨,请记住PIC12F1571/ 72有PIC16F1XXX内核。这意味着它有14个额外的指令可以减轻你的生活(也在汇编程序)。检查一下核心体系结构(更多的寄存器)、影子寄存器中断的情况……移植代码可能工作得很好,但是不能利用这些新指令,尤其是BSR,它们帮助银行只在一个周期内进行切换,不管银行是什么。对于基于PIC16F1xxx的设备,PED用于标准PIC16F的设备通常收缩20%到30%。所以我建议切换到C,因为一些附加的指令实际上帮助创建更小的应用程序。
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
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