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[问答] 关于nmos开关管的问题
693 nmos
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如图所示,我用nmos做开关管,通过锂电池供电,随着电池电量损耗,栅极电压会从14v到8v变化,保证mos管一直导通,我想知道,栅极电压变化会不会影响mos管的导通特性?电池电压为48v,负载电流比较大
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2019-10-23 11:08:33   评论 分享淘帖 邀请回答
5个回答
会有影响的 一般情况下 Mosfet的阈值电压在4V左右  具体的还是需要看具体的手册  GS 两端的电压4V -10V 这个范围的时候 Rdson变化比较明显,在10V-12V 期间变化微乎其微   所以Vgs电压一般设置在12V比较合理  此地在设计上考虑的不是很全面 光耦上啦的10K的电阻  在电池没有损耗的情况下 48V/10K =4.8ma    在损耗一的情况下 电压越来越小   电流就越来越小   当达到临界点的时候 Mosfet有可能有关断了 此时负载断开     电压回升   电流也就回升   又开始导通  -》电压跌落 -》电流减小-》 Mosfet关断   会有这个零界点的存在 需要考虑
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2019-10-23 11:08:34 评论

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2019-10-23 13:54:00 评论

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略有影响但是影响应该比较小,具体的话需要参考器件规格书上的相关参数自己看下,一般会给出几种典型电压的导通电阻,你可以算下会不会超过MOS管的PD
2019-10-24 08:38:47 评论

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可见电路中包含着快速释放MOS管栅极电荷的愿望。
但是,输入信号高电平时,PNP8550 不具备可靠导通的条件,故不能起到快速释放MOS管栅极电荷的作用。
2019-10-24 14:12:08 评论

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你第一个NPN的三极管能导通么?
2020-2-14 09:51:41 评论

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