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嗨,Subashbabu,
我为这混乱感到抱歉。请找到附带的文件与此互动。我们已经更新了这篇文章,并将尽早在Web上发布。这篇文章的示意图来自我们的内部表征委员会。如果你有进一步的疑问,请告诉我们。 谢谢 QDRY-ReFixDealKy.K.B.PDF 317.8 K |
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嗨,普里特
内存已经放在黑板上了。如何改变输出电阻。正如你所说的,输入电阻接近50欧姆,但问题是考虑输出电阻,因为根据ODT的方程式使它能提供35欧姆和15欧姆,所以我们必须增加一系列电阻。有没有其他方法可以改变电阻。 输出电阻指的是在存储器或FPGA附近放置的装置。您所附的DOC几乎是清晰的,谢谢您。 |
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嗨,Subashbabu,
串联电阻(对于输出驱动器)应该靠近存储器,因为FPGA的跟踪阻抗和输入阻抗将为50欧姆。因此,这是为了使存储器输出阻抗为50(35±15)欧姆。 如果FPGA输入/输出和跟踪阻抗为50欧姆,那么要匹配这个阻抗值,我们需要有内存RQ=175欧姆,ODT引脚=低和15Ω系列电阻输出驱动器。这样,我们的记忆将匹配输入和输出阻抗与跟踪和FPGA阻抗。如果跟踪和FPGA输入/输出阻抗值是不同的值(不是50欧姆),那么我们可以调整RQ值,使其与跟踪和FPGA阻抗相匹配。 谢谢 |
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HQDLL+内存工作频率为280兆赫兹。当我的输入端为109欧姆,输出为36欧姆。我已经取得了RQ=182欧姆(我没有增加串联电阻)。
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