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你好,
在我的应用中,我们正在尝试使用CY8C4247进行定量电容测量。我意识到这不是芯片设计的一个应用,我们很可能需要自己的资格。我们有几个主要问题。下面是我们用来把原始计数转换成电容的模型。它来源于你的CasSoice设计指南。(MADAC,CDAC,SDIV)是CAPSENSE组件使用的参数。我们使用PRS—12来提高线性度。 DEF Topf(计数,MADAC,CDAC,SDIV,t=0,CC=0,cm=0,CADC=0):uApbit=1.2×1E-6; CDAC=MdAC*(uApBIT +T*CM); CMAX=((1和lt;16)- 1)VREF=1.2 +T*CV FSW=48000000 /(2×SDIV)/2;!!!! 计数+=CACD*T 计数=max(0,min(Cmax,计数))CS=(计数*MADAC)/(Cmax *VREF*FSW)+CDAC/(VREF*FSW) 返回CS*1E9 第一个问题是,为什么在测量电容值的变化中改变CDAC/MDA结果?从模型上看,这并没有什么意义。 其次,我们试图将该模型拟合到观测数据在一个温度范围内,以导出热系数。然而,它不适合。我怀疑我们的模型不够好。CAPSENSE操作是否有另一种理论模型?这一点不包括外部CMOD电容的任何术语,这对测量值应该有一定的影响。我们也使用盾牌,我猜不同的盾牌驱动可能会导致问题。 最后,现在SP2不在了,CSX是我们的选择。有没有关于CSX温度效应的信息?我甚至找不到将CSX测量转换成电容值的方法。 如有任何建议,将不胜感激。 谢谢, 乔恩撬 |
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