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[经验] 吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案

2019-10-8 15:41:37  852 半导体 吉时利 测试
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吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案
半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件,如二极管晶体管,场效应管等,是组成集成电路的基础。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲线,来决定器件的基本参数。微电子器件种类繁多,引脚数量和待测参数各不相同,除此以外,新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。
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分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验,帮助工 程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。
随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级,这些对低噪声源表,探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。
半导体分立器件I-V特性测试方案,泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 (SMU)为核心测试设备,配备使用简便灵活,功能 丰富的CycleStar测试软件,及精准稳定的探针台,为客户提供了可靠易用的解决方案,极大的提高了用户 的工作效率。
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吉时利方案特点
  丰富的内置元器件库,可以根据测试要求选择所需要的待测件类型;
测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省了大量的时间;
精准稳定的探针台,针座分辨率可高达0.7um,显微镜放大倍数最高可达x195倍;
最高支持同时操作两台吉时利源表,可以完成三端口器件测试。
测试功能:
二极管特性的测量与分析
极型晶体BJT特性的测量与分析  
MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析  
MOS 器件的参数提取
系统结构:
系统主要由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例,共需要以下设备:
1、两台吉时利 2450 精密源测量单元
2、四根三同轴电缆
3、夹具或带有三同轴接口的探针台
4、三同轴T型头
5、上位机软件与源测量单元(SMU)的连接方式如下图所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。
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系统连接示意图
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典型方案配置
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