[问答]

氮化镓技术在半导体行业中处于什么位置？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。 0
2019-8-1 07:38:40　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wanqing192 该类别下有 6 个回答。邀请回答 xiezhe272 该类别下有 5 个回答。邀请回答 raylue 该类别下有 5 个回答。邀请回答 wyerwwr 该类别下有 5 个回答。邀请回答 zsjjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 sywnnt 该类别下有 4 个回答。邀请回答 moxlanlan 该类别下有 4 个回答。邀请回答 zhushanyu262 该类别下有 4 个回答。邀请回答红粉小Q猪该类别下有 4 个回答。邀请回答 zweipcb 该类别下有 4 个回答。邀请回答帅帅的欧尼酱该类别下有 4 个回答。邀请回答 Qwang_public 该类别下有 4 个回答。邀请回答 dfgsgdg 该类别下有 4 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 4 个回答。邀请回答小幸运多幸运该类别下有 4 个回答。邀请回答 5616asaqwq 该类别下有 4 个回答。邀请回答泰坦之心该类别下有 4 个回答。邀请回答 xujun621 该类别下有 4 个回答。邀请回答 mashiquan123 该类别下有 4 个回答。邀请回答 60user76 该类别下有 4 个回答。邀请回答刘晓英相关推荐 • 什么是氮化镓（GaN）？ 6492 • 硅基氮化镓与LDMOS相比有什么优势？ 4307 • 氮化镓功率半导体技术解析 5433 • 氮化镓有哪些卓越表现？ 2472 • 5G相关核心产业链有哪些？ 7781 • 5G无线对多功能设备有什么要求？ 2637 • 5G无线与对集成度更高、速度更快的多功能设备有哪些新要求呢？ 2946 • 主流的射频半导体制造工艺介绍 3167 • 高压氮化镓的未来是怎么样的 2228 • 如何完整地设计一个高效氮化镓电源？ 2313 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管（FET）的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻——其在功率转换器的开关和传导损耗中起着重要作用。这些损失会影响系统级效率及散热和冷却方法。因此，通常来讲，RDS(on)额定值越低，可实现的功率水平越高，同时仍保持高效率。但是更高的RDS(on)可能更合适一些应用或拓扑，如图1所示。图 1：采用典型电源拓扑结构的70和50mΩ氮化镓器件

2019-8-1 16:13:59 评论举报刘琪琛

过流保护
集成的过流保护不仅简化了用户的布局和设计，且在短路或其他故障情况下，高速检测实际上对于器件保护非常必要。德州仪器的氮化镓器件产品组合具有<100-ns的电流响应时间，可通过安全关断器件并允许其复位来自我防止意外击穿事件。这可保护器件和系统免受从故障管脚读出的故障条件的影响，如图2所示。

图 2：LMG3410/LMG3411系列产品的内部器件结构，包括FET、内部栅极驱动、压摆率控制和保护功能
德州仪器的默认过流保护方法被归类为“电流锁存”保护；这意味着，若在器件中检测到任何过流故障，FET将安全关断，并在故障复位前保持关断状态。在我们的70mΩ器件中，故障在36 A触发；对于50mΩ器件，故障触发器扩展到61 A.
基于不同的应用，一些工程师可能更愿意在合理的瞬态条件下运行，为此我们提供逐周期过流保护。通过逐周期保护，在发生过流故障时，FET将安全关断，且输出故障信号将在输入脉冲宽度调制器变为低电平后清零。FET可在下一个周期内重启，且在瞬态条件下运行，同时仍能防止器件过热。
表1所示为德州仪器的各类氮化镓器件的主要规格、结构和典型系统功率电平。

器件	电压(V)	RDS(on) (mΩ)	FET配置	过流保护方法
LMG5200	80	15	半桥	外接
LMG3410R050	600	50	单通道	锁存
LMG3410R070	600	70	单通道	锁存
LMG3411R070	600	70	单通道	逐周期