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IBM POWER处理器采用的十大新技术
815 嵌入式系统 处理器
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POWER架构已经发展了27年,而从第一颗POWER处理器的诞生到现在也已经过了18年。现在,我们来简单地回顾一下从1997年开始到现在IBM所采用的十大新技术。

1.铜芯片(Copper),1997年9月——出于很多技术原因,大多数人认为在芯片中取代铝线布线基本不可能。但IBM的工作小组克服了这些技术问题,很快地将铜线投入到生产中,其结果使芯片性能立刻得到提高。现在,IBM的开创性技术仍然是行业的标准。
   

   

   


   

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2019-6-24 08:28:32   评论 分享淘帖 邀请回答
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2.绝缘硅(SOI),1998年8月——绝缘硅(SilicononInsulator)技术通过在现代芯片上绝缘隔离数以百万计的晶体管,从而实现了功耗的降低和性能的提高。在IBM开发出这项技术前,半导体行业对绝缘硅技术的研究已经进行了15年。
2019-6-24 11:19:47 评论

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3.应变硅(StrainedSilicon),2001年6月——该项技术可以拉伸芯片内的材料,降低阻抗和加快电子流过晶体管的速度,从而提高性能和降低功耗。
2019-6-24 11:19:51 评论

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4.双内核微处理器(Dual-CoreMicroproCESsors),2001年10月——全球第一个双内核微处理器POWER4作为Regatta的一部分发布,Regatta是一款Systemp服务器,是当时世界上功能最强大的服务器。自此两年多以后——对于技术行业这是一个漫长的时间,我们的第一个竞争对手才将双内核芯片投放市场。
   
2019-6-24 11:19:57 评论

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5.浸没式光刻(ImmersionLithography),2004年12月——IBM宣布在全球首次采用这项新的制造技术,即可以使芯片尺寸可以做得更小的技术,来生产商用微处理器。
2019-6-24 11:20:08 评论

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6.冷冻硅锗芯片(FrozenSiGeChip),2006年6月——上世纪90年代,IBM首次采用硅锗(SiGe)取代了更加昂贵和不稳定的材料,制造出了尺寸更小、速度更快和成本更低的芯片,这使IBM开始向经营无线产品,如移动电话和路由器的公司销售芯片。去年,IBM通过与NASA提供支持的Georgia科技公司合作,又突破了硅锗技术的限制,向全球展示了第一款能够在500GHz频率以上工作的硅基芯片——通过将芯片冷冻到接近绝对零度来实现。
   
2019-6-24 11:20:19 评论

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7.高电介质(High-k),2007年1月——IBM宣布推出一种解决方案来解决业界最头痛的问题之一,即晶体管电流泄漏问题。通过采用新的材料,IBM将制造出具有“高电介质金属门(High-kmetalgates)”的芯片,从而使产品的性能更好、尺寸更小、能源效率更高。
   
2019-6-24 11:20:23 评论

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8.嵌入式动态随机访问存储器(eDRAM),2007年2月——通过在微处理器芯片上采用创新的新型快速动态随机访问存储器(DRAM)取代静态存储器(SRAM),IBM能够实现三倍以上容量的嵌入式内存,并使性能得到极大提高。
   
2019-6-24 11:20:28 评论

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9.三维芯片堆叠(3-DChipStacking),2007年4月——IBM宣布采用“穿透硅通道(through-siliconvias)”技术制造三维芯片,穿透硅通道使半导体可以垂直叠放,而原来只能接近水平依次排放,这样就可以将关键线路路径的长度缩短最高达1000倍。
   
2019-6-24 11:20:34 评论

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10.Airgap,2007年5月——使用“自组装”纳米技术,IBM在Power架构的微处理器内数英里长的线路之间创造出一种真空状态,这样就减少了不必要的电容,提高了性能和能源效率。
2019-6-24 11:20:38 评论

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