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[问答] 全桥变换电路MOSFET存在反峰电压过高的问题
736 MOSFET 全桥电路
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如图是通用的全桥整流拓扑结构,输入48V,输出24V50A。
1.png
但是我测试中发现,带载后MOS管反峰电压过高,200V的MOS管,反峰高达240V
2.png

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2019-1-10 15:30:34   评论 分享淘帖 邀请回答
6个回答
时间轴放大后如下图
1.png
测试母线电压波形(在MOS管脚上测试),波形如下
2.png
也有很大反峰,但是测试电解电容上的波形还可以。
现在调整吸收RC参数,或者干脆去掉吸收电路,对这个反峰的影响都很小,在母线间并接1UF400V的CBB电容也效果不太明显。请教如何处理这个反峰的效果会更见成效呢?
2019-1-10 15:31:48 评论

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2019-1-10 15:32:30 评论

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@胡政鹏邮箱 5、因某种原因也许 C1 不能太靠近两个开关,那就再用一个小容量的 CBB 电容就近达成这个电容,形成最小回路连接。
整个机器的结构不是在电路板上,而是分立的结构,请教这个小的CBB电容需要多大的容量和额定电流,这个要怎么估算呢?而且我也有在MOS管上并接一个CBB电容,效果似乎一般。
2019-1-10 15:35:06 评论

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@jsqueh 一定要靠近MOS管位置的母线上并联这个电容。
2019-1-10 15:35:29 评论

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@jsqueh 这个方法有说明,是三个元件的最小回路连接(无论是铜排或者PCB),电容只是其中一个元件。因此,电流的大小也与其他两个元件相当,一般CBB电容都能满足,无需纠结。
2019-1-10 15:36:02 评论

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你这测试错误了吧,管子EAR那么厉害?200V管子240还不死
2019-1-10 15:36:21 评论

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