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DRAM技术或迎大转弯,三星、海力士搁置扩产项目
2018-10-12 14:46:09  449 华强旗舰 闪存 三星
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这几年以来,国内巨头都在花大力气研发内存,以期打破垄断,尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言,三星占了全球80%的份额,成为全球半导体领域的焦点。
日前,三星一反常态,放缓了存储器半导体业务的扩张步伐。据韩媒Kinews等报导,三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资,传出将延至2019年,取而代之的是对现有产线进行补强投资,期望获利维持一定水平。

同时,另一家半导体大厂SK海力士也宣布,2018年下半将投资重心集中于NAND Flash,NAND Flash新厂投资进度正在加速,DRAM只会进行小规模补强与转换投资。

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如何看待这两则新闻?笔者认为这属于意料之中的事。根本原因不在三星、SK宣称的市场因素,目前DRAM市场价格并不差,反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线,不是拿石头砸自己的脚吗?同时也不是媒体所猜测的国内DRAM产能陆续释放,国内DRAM产能再大,也难以满足全球庞大的市场需求。因此,应该是技术层面的原因。

技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层,但是技术路标的能见度已至512层-3D Flash做为高科技产业的技术、产品还可长可久,投资于此,理所当然。

DRAM制程推进已很缓慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也许可以推进到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力。对于一个商业公司,最合理的是采取收割策略,少量投资,改善良率,并且利用韩国机器设备3年折旧的制度,在未来的DRAM市场持续保有价格优势,获得最大利益。

DRAM自然也不会从此就从市场上消失。在CPU与NAND Flash的速度还存有巨大落差,这是目前存储器体制(memory hierarchy)的现况。所以合理的情境是已有新兴存储器(emergent memories)的技术已接近成熟,可以填补这个区位,所以两家大厂才会停止DRAM的投资。从目前各新兴存储器的技术进展来看,读写速度都已纷纷进入10ns的目标区,而且不需要更新电流(refresh current),对功耗问题大有好处。况且这些技术也都可以3D堆叠,在价格上迟早能跟DRAM竞争。

综上所述,技术层面的革新才是导致两家大厂放缓新项目投资的主要原因。换言之,DRAM技术也即将迎来以技术提升为主导的产业大转弯。


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