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[通信设备] 一个悬浮拓扑和电荷泵来实现真正的二极管替换

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管理员

发表于 2018-7-11 10:59:03   304 查看 1 回复 显示全部楼层 倒序浏览
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在使用MOSFET时,功率损耗小到令人难以置信,而设计人员也不用使用昂贵且笨重的散热片进行热管理。然而,凡事皆有代价。N沟道MOSFET需要一个栅极驱动来将电流从源极传导至漏极,并且需要在AC正弦波变为负值时快速关断。通过将N沟道MOSFET与4个LM74670-Q1智能二极管整流控制器组合在一起,可以在在正弦波的负周期内关闭MOSFET栅极。

LM74670-Q1设计用于单独驱动每一个N沟道MOSFET,以便仿真一个没有正向传导损耗的理想二极管。LM74670-Q1用一个悬浮拓扑和电荷泵来实现真正的二极管替换。图1显示的是在一个全波桥式整流器设计中运行的LM74670-Q1


1:LM74670-Q1智能二极管桥式整流器运行


在这个桥式整流器方法中,每个二极管被LM74670-Q1解决方案所替代,这个解决方案包括集成电路MOSFET和一个电荷泵电容器。每个解决方案独立运行,并且像二极管一样对AC输入波形做出响应。

LM74670-Q1
用阳极和阴极引脚持续感测MOSFET上的电压,并且根据电压极性来打开和关闭MOSFET栅极。在AC波形的正周期内,如图2中所示,MOSFET M1和M3导电,而针对M2和M4的栅极被相应的LM74670-Q1关断。



2:AC输入正周期内的正向传导

当AC波形变为负值时,与M1和M3相对应的LM74670-Q1在2μs的时间内对负电压做出响应,并且关断两个MOSFET的栅极。在这个时间内,如图3所示,M2和M4 MOSFET接通。

反极性保护智能二极管控制器评估模块.pdf

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标签:MOSFET 整流器

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发表于 2018-7-11 12:50:25  
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