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本帖最后由 dlodl 于 2018-6-29 15:13 编辑
应用方案:OB2263DIP-8封装内置过温保护M5563应用方案供应商:深圳市泰德兰电子、香港富研科技:是半导体代理公司,主要代理TOREX(特瑞仕),MOJAY(茂捷半导体)主要销售AC-DC,LED驱动IC,锂电充电IC,LDO ,DC-DC,VD等产品, 产品说明: M5563是一个高度集成的电流模式PWM 控制IC,优化了高性能、低待机功耗和低成本有 效,用于30W 内的离线反激变换器。正常操作时,PWM 开关频率由外部编程并在 小范围内调整。在空载或轻载条件下,IC 工作在扩展“burst 模式”来减少开关损耗,实 现低待机功耗和高转换效率VDD 低启动电流和低工作电流有助于用M5563设计一个启动可靠的电源。一个大的电阻值可以用于启动电路以最小化待机功率。内部斜率补偿,提高了系统的大信号稳定性, 减少高PWM 占空比输出时的可能的次谐波振荡。电流检测输入脚(CS)过滤信号前沿消除了 信号的干扰,从而大大降低了设计中的外部元件数量和系统成本。 M5563 提供完整的保护,覆盖自动的自恢复功能,包括逐周期电流限制(OCP),过载保 护(OLP),VDD 过压钳位和欠压锁定(UVLO)。栅极驱动输出钳位到最大18V 以保护功率MOSFET。优良的EMI 性能的获得是图腾柱式栅极驱动输出基于昂宝的专有的频率抖动技术和软开关控制。 产品特点: ▲ 低待机功耗:M5563 通过特别的低功 耗间歇工作模式设计不仅可以让整个系统在空 载的状态下轻易达到国际能源机构最新的推荐 标准,而且允许系统在较轻负载 (约1/30 满载 以下) 的情况下同样具有超低耗的性能。 ▲无噪声工作:使用M5563设计的电源 无论在空载,轻载和满载的情况下都不会产生音 频噪声。优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。 ▲ 更低启动电流:M5563VIN/VDD 启动电流低至4uA,可有效地减少系统 启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。 ▲ 更低工作电流:M5563 的工作电流约为2.3mA,可有效降低系统的损耗, 提高系统的效率。 ▲ 内置前沿消隐:内置前沿消隐(LEB),可以为系统节省了一个外部的R-C 网络, 降低系统成本。 ▲ 内置OCP 补偿:M5563 内置了OCP 补偿功能,使系统在不需要增加成 本的情况下轻易使得全电压范围内系统的OCP 曲线趋向平坦,提高系统的性价比。 ▲ 完善的保护功能:M5563 集成了较完善的保护功能模块。OVP,UVLO, OCP,恒定的OPP 和外部可调节的OTP 功能可以使系统设计简洁可靠,同时满足 安规的要求。 ▲ MOSFET 软驱动:可有效的改善系统的EMI。 ▲ 较少的外围器件:M5563外围比较简单,可有效提高系统的功率密度, 降低系统的成本。 ▲ M5563优良的EMI 特性:M5563内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统 的EMI 特性,同时可以降低系统的EMI 成本。 产品特色: 系统的启动时间: 以上的两种启动方式当电源上电开机时通过启动电阻RIN 给VDD 端的电容C1 充电,直到VDD 端电压达到芯片的启动电压VTH(ON)(典型值16.5V)时芯片才被激活并且驱动整个电源系统正常 工作。 由于芯片具有低启动电流的特性并且考虑到空载的系统损耗,RIN 可以取得较大,具体值可 在1.5MΩ~3MΩ 范围内选取。 1. 芯片在设计初始为了降低系统工作在空载或较轻负载(1/30 满载)的状态下系统整机的功 率损耗,系统正常工作时M5563 FB 端允许的最大的输出电流IFBmax≈0.5mA,最小工作 电流IFBmin≈0.18mA;即流过光耦接收端集射极的电流Ic 最大为0.5mA 左右,最小为 0.18mA 左右。假设光耦的最大传输比CTR=0.8,系统二次侧(次级)LT431 的工作电流仅由 流过光耦发射端二极管的电流IF 提供,那么通过Ic 折算到流过光耦发射端二极管的电流 IF 最大仅为0.63mA,这个电流将无法满足LT431 的最小工作电流(1mA),所以在系统设 计时,使用OB2268 设计的系统必须给次级LT431 提供一个常态偏置电阻(见典型电路中的 Rbias),使LT431 工作在正常的状态,否则系统的负载调整率或其他性能可能会发生异常, 在16V 输出的系统中,考虑空载或轻载时系统的损耗因素,推荐使用的偏置电阻阻值为 1KΩ。 2. 当VFB=1.0~1.8V 时系统工作在间歇工作模式,如果系统出现可听及的异音,请先检查系 统是否工作正常,如果你确认无误,请检查系统缓冲吸收回路中的电容材质,如果使用的是 普通压电陶瓷电容,那么当系统工作在间歇工作状态时电容由于发生压电效应而产生异音是 很可能的。这时,请更换电容的材质,如MYLA,PEA,MEF 或CBB 等薄膜类电容;考虑 成本及电容体积大小的因素,我们推荐使用MYLA 电容,在保证吸收回路效果的前提下可 以通过调整缓冲吸收回路中的电阻阻值来减少该电容的值有利于缩小电容体积及降低系统 成本,例如2200PF/250V,4700PF/250V 或10000PF/250V 的MYLA 电容可以接受的。 3. 当系统工作在满载的情况下如果系统出现可听及的异音时,请检查系统是否工作正常, 如果你确认无误,请检查芯片的FB 端的电压波形是否较平滑,如果发现较大的干扰请检查 系统的PCB layout 是否合理,对于较小的干扰可通过外加滤波网络进行抑制,如图中的RFB 及CFB 组成的低通滤波器,这里RFB,CFB 的取值不宜过大,比如47 Ohm,1000 PF;根据 系统的实际情况,RFB 可以为0 Ohm。RFB,CFB 的取值会影响系统的环路稳定,一般CFB 的 取值建议要≤4700PF。 4. 当系统工作在输出空载,轻载或满载转空载的情况下,如果发现输出端电压在较大范围 内波动时,请首先确定电路设计、PCB layout 是否正确及环路是否稳定,如果确定无误,请 再次检查变压器给芯片供电的辅助绕组是否能保证系统在输出空载或轻载的情况下芯片 VDD 端的电压在10.5V(UVLO 典型值)以上,否则系统可能工作在UVLO 临界状态。值得注 意的是变压器辅助线圈在设计时需要把与VDD 端相连的整流二极管的压降及限流电阻的压 降考虑进去,另外还要考虑变压器层间耦合系数/强度的关系;耦合较弱时,空载时芯片VDD 端电压值较低,容易进入UVLO 状态,但是满载状态下VDD 端电压上升较少;耦合过强, 对提高空载时芯片VDD 端电压稳定系统有较大的帮助,但满载状态下VDD 端电压上升较多, 容易让芯片进入过压保护状态。考虑到系统满载瞬间转空载或空载瞬间转满载时由于能量瞬 变导致VDD 端电压下冲误触发UVLO 的原因,在系统允许的输入电压范围内且系统输出为 空载时建议芯片VDD 端电压要>12.5V,这里特别要注意高端输入电压如264V/50Hz 时的情 况。 |
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